随着现代无线通讯技术的快速发展,印制电路板中信号传输的高速率、低损耗和低延迟显得尤为重要,而印制电路板的性能主要取决于介质基板材料的性能。为了满足工业和先进电子设备的需求,开发具有低介电常数及损耗的陶瓷-聚合物复合材料是减小电子元器件尺寸和保证信号质量的有效途径。传统聚合物树脂的高介电常数和高介电损耗限制了其在高频覆铜板的应用,而聚烯烃树脂具有优异的介电性能及良好的加工性能,因此成为了高频覆铜板基板的理想材料。本研究选用聚丁二烯、乙烯-丙烯共聚物和苯乙烯-丁二烯共聚物三种聚烯烃作为基体树脂,SiO2为填料,以溶液共混和热压成型的方式制备SiO2/聚烯烃层压复合材料,探讨了填料表面改性、引发剂含量及固化工艺等因素对复合体系的影响,通过填料及其复配比例的改变以期实现对介电性能的调控。研究的主要内容及成果如下:（1）SiO2/聚烯烃复合材料制备工艺研究:对不同含量的KH-570改性的填料进行分散稳定性测试,研究发现,1.5 wt%KH-570改性的SiO2分散性最佳;采用不同含量的1,4-双叔丁基过氧异丙基苯（BIPB）和过氧化二异丙苯（DCP）对复合材料进行交联,通过性能测试分析,得出最佳的引发剂种类及用量是3 pbw BIPB;通过对不同热压时间和压力下复合材料的性能分析,得出最佳固化工艺为175℃/3MPa/90 min。（2）SiO2含量对复合材料性能的影响研究:以熔融SiO2和晶态SiO2为填料,制备一系列不同填料比例的SiO2/聚烯烃层压复合材料,并对其各类性能进行测试表征。结果表明,随着填料的增加,复合材料的交联密度、介电常数、损耗及吸水率增加,热稳定性和力学性能也有所改善。含有70 wt%熔融SiO2的复合材料的拉伸强度达到22.85 MPa,介电损耗可低至0.00279,吸水率也保持在较低水平,即0.2%以下,此时的复合材料具有优异的综合性能。（3）TiO2/SiO2复配对复合材料性能影响的研究:为进一步改善复合材料的介电性能,将纳米和微米级别的TiO2分别与熔融SiO2复配制备TiO2/SiO2/聚烯烃复合材料。当纳米TiO2添加量达到10 wt%（总填料占比70 wt%）时,复合材料表现出最低的介电损耗（0.00217,10 GHz）,拉伸强度和冲击强度分别可达24.69 MPa和4.138 kJ/m~2,其吸水率仍保持在0.2%以下。