【摘 要】
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ZnO是一种新型的Ⅱ—Ⅵ族宽禁带半导体材料,具有许多优异的性能。但由于晶体中存在诸多本征施主缺陷（如氧空位Vo和间隙锌Zni）,对受主产生高度自补偿作用,天然ZnO为n型半导体,难
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ZnO是一种新型的Ⅱ—Ⅵ族宽禁带半导体材料,具有许多优异的性能。但由于晶体中存在诸多本征施主缺陷（如氧空位Vo和间隙锌Zni）,对受主产生高度自补偿作用,天然ZnO为n型半导体,难以实现p型转变。而ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,所以如何实现p型转变已经成为近来ZnO研究课题中的热点。 本文首次报道了利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长掺磷p型ZnO薄膜。实验采用二乙基锌作为锌源,高纯五氧化二磷粉末作为磷掺杂源。利用X射线、霍尔测试、能量散射谱、二次离子质谱、透射光谱和光致发光谱对其性能进行了分析。结果表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长;生长温度为400～450℃时实现了ZnO薄膜的p型转变,并在420℃时,获得了空穴浓度为1.61×1018cm-3,电阻率为4.64Ωcm,迁移率为0.838cm2/V.s的电学性能较好的磷掺杂p型ZnO薄膜;该薄膜在可见光区具有很高的透射率;从室温和低温光致发光谱上看该薄膜具有优异的光学性质。同时,我们对所得到的掺磷ZnO薄膜进行了退火研究,结果表明退火能够改善薄膜的晶体质量并能有效的激活受主。
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