本文利用半导体材料辐照损伤模型和pn结能带模型，在GaAs/Ge太阳电池短路电流和开路电压退化的数学模型基础上建立GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池短路电流和开路电压退化的数学模型。　　通过地面等效模拟试验获得GaInP/GaAs/Ge太阳电池电学参数退化的基本规律，利用GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池短路电流退化的数学模型确定三结太阳电池少数载流子扩散长度损伤系数KL的退化规律。研究结果表明，低能质子会分布在GaInP/GaAs/Ge三结电池的不同区域，因此，低能质子辐照损伤效应要分区考虑，入射质子在各子电池发射区和基区产生的辐照缺陷会缩短少子的扩散长度，降低光生载流子的收集效率。40 keV和170 keV入射质子分别在GaInP和GaAs子电池发射区和基区产生的缺陷较多，因此，辐照后短路电流退化的幅度与100 keV和130 keV入射质子辐照后相比更大。随入射电子能量的增高，其在电池中产生的空位缺陷浓度越大，少数载流子扩散长度损伤系数也就随之增大。　　利用GaInP/GaAs/Ge太阳电池开路电压退化的数学模型确定三结太阳电池多数载流子去除率损伤系数αn的变化规律。研究结果表明，在入射光一定时，太阳电池的开路电压直接取决于pn结的内建电压，40 keV和170 keV入射质子分别分布在GaInP顶电池和GaAs中间电池的空间电荷区附近，其多数载流子去除率损伤系数也比较大。虽然空间电荷区的辐照缺陷不会产生载流子去除效应，但是辐照缺陷会造成太阳电池并联电阻减小而复合电流增大，导致太阳电池开路电压退化。随入射电子能量的增加，GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的多数载流子去除率损伤系数增大。　　本文研究不同能量的质子和电子辐照下GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的少数载流子扩散长度损伤系数KL和多数载流子去除率损伤系数αn随入射粒子能量变的基本规律，对于揭示空间多结太阳电池的辐照损伤机理具有重要意义。