【摘 要】
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该文用电荷泵(CP)技术作为研究短沟MOS器件在热载流子应力下退化的手段,对CP技术的原理和测量方法作了系统详尽的研究.在总结前人有关热载流子引起的界面态和氧化层电荷沿沟
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该文用电荷泵(CP)技术作为研究短沟MOS器件在热载流子应力下退化的手段,对CP技术的原理和测量方法作了系统详尽的研究.在总结前人有关热载流子引起的界面态和氧化层电荷沿沟道方向的空间分布的基础上,该文提出了一种适用于大批量地处理沿沟道方向非均匀分布的界面态和氧化层电荷的电荷泵方法-基于迭代算法的直接的电荷泵方法.
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