氧化层电荷相关论文
本文采用MOSFET的亚阈外推测量技术,研究MOSFET在低温(77°K),~(60)Coγ射线辐照下,辐照感生氧化层电荷和界面态。在77°K辐照下,n......
该文用电荷泵(CP)技术作为研究短沟MOS器件在热载流子应力下退化的手段,对CP技术的原理和测量方法作了系统详尽的研究.在总结前人......
随着CMOS器件尺寸的缩小,栅介质厚度已经减薄到接近其物理极限。然而,电源电压减小的相对滞后导致的强电场引发了各种可靠性问题。......
金属-二氧化硅-半导体（MOS）结构对于SiO2-Si界面非常敏感，能够方便地反映出氧化层电荷、界面态密度等参数。为了研究MOS结构的电子辐......
对电子束曝光时间和束流改变引起的ＭＯＳ器件阈值电压有效迁移率的变化以及辐照损伤的消除作了研究，并对辐照损伤及退火的机理进行了探讨......
利用新型的直流电流电压（DCIV）法研究了热载流子应力下的亚微米pMOSFET的氧化层陷阱电荷和表面态产生行为，并对热载流子应力下pMOSFET......
本文针对NPN双极性晶体管，在研究辐照感生的氧化层电荷及界面态对晶体管基极电流和1/f噪声的影响的基础上，建立辐照感生氧化层电荷及......
CMOS器件尺寸越来越小，栅介质厚度持续减小，负偏压温度不稳定性（NBTI）成为制约器件可靠性及寿命的最主要因素之一。然而，NBTI机理一直处......
随着器件尺寸的不断减小，PMOS器件NBTI（Negative Bias TemperatureInstability）效应变得愈发明显，对CMOS器件和电路可靠性的影响也愈发......
随着MOSFET尺寸的不断缩小,器件的功耗问题和可靠性问题成为制约集成电路发展的重要因素。为了降低集成电路的功耗,隧穿场效应晶体......
随着CMOS器件尺寸的缩小,栅介质厚度已经减薄到接近其物理极限。然而,电源电压减小的相对滞后导致的强电场引发了各种可靠性问题。......
栅致漏极泄漏(GIDL)电流已经成为影响小尺寸MOS器件可靠性、功耗等方面的主要原因之一,它同时也对EEPROM等存储器件的擦写操作有重......
随着MOs器件尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅泄漏变得愈发显著,对CMOS器件和电路可靠性的影响也愈发严重,成为限制器件及电路寿......
