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近几年随着物联网和人工智能的持续发展,磁场传感器可以应用于物品信息之间的获取和交换,比如最新发展的无人驾驶技术,其中含集了大量磁场传感器技术,可以通过磁场传感器来感应和控制车身与道路边缘的距离,但同时也对磁场传感器提出了更高的要求,需要磁传感器有更高的灵敏度,虽然目前已经发展成熟的线圈传感器、超导量子干涉仪等磁场传感器具有很高的灵敏度,但都具有一定的使用局限,线圈传感器对静态磁场和变化率低的磁场无法探测,超导量子干涉仪的体积庞大,不够微型化,无法应用到便携式电子设备上,所以需要一种新型的磁场传感器来适应时代发展的需要。所以本文提出了一种将声表面波技术与磁致伸缩材料结合的基于AlN/Fe87Ga13合金衬底的磁声表面波传感器,传感器可以利用MEMS工艺进行加工制备,具有尺寸小、灵敏度高、加工简单等优势,为磁场传感器的发展提供了新思路。首先利用中频磁控反应溅射法在Fe87Ga13合金衬底上沉积了C轴择优取向AlN薄膜,分析了两步法和一步法生长沉积AlN薄膜的优缺点,由于AlN和Fe87Ga13合金热膨胀系数不匹配,舍弃了两步法的方案。随后研究了一步法中溅射功率、氮气含量、溅射气压、靶基距等工艺参数对AlN薄膜生长沉积的影响,经过不断的优化,当溅射功率为2000w,氮气含量为20%,溅射气压为1.0Pa,靶基距为80mm时为最佳工艺条件。最佳工艺条件下的AlN薄膜,其FWHM达到了10o,晶粒大小都很均匀。其次,利用COMSOL仿真软件对叉指电极/AlN/Fe87Ga13结构的磁声表面波传感器进行了仿真,其中叉指线宽为10μm,叉指对数为100对,仿真结果表明瑞利波在Fe87Ga13合金里传播的速度为2072m/s,瑞利波模式下器件的谐振频率点为54.70MHz,其器件的瑞利波声速为2188m/s,并且瑞利波模式下其传播能量分布主要在物质表面一个波长内,体声波模式下其仿真谐振频率为121.9MHz。最后利用MEMS光刻等工艺对仿真的磁声表面波传感器进行了制备,通过矢量网络分析仪测试,得到了其S11参数结果,得到了瑞利波模式和体声波模式下的谐振点,但都分别出现了两个谐振点,分别为59.685MHz、68.773MHz和132.500MHz、146.534MHz,两个谐振点的原因可能是由于工艺制备不成熟,导致线宽不均匀,出现了不同谐振点。最后通过计算得知,瑞利波在器件中传播的波速在2387m/s和2751m/s范围内。