基于CMOS工艺的带隙基准源设计

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基准源电路能够为系统提供几乎不受电源电压、所用工艺参数及温度影响的直流电压或电流,它被广泛应用于模拟、数字、数模混合集成电路系统中。带隙基准源对电源电压要求不高,具有良好的温度特性、非常小的静态工作电流,可以满足一般集成电路的特性要求,也经常被用于低功耗的电路系统中。本文基于SMIC 0.5μm CMOS工艺设计了一个带隙基准电压源电路,它由开启电路、偏置电路、放大电路及基准电压产生电路四部分构成。论文利用Cadence Spectre进行仿真和验证,并对仿真结果进行分析。仿真结果表明:带隙基准电压源在-50℃—100℃范围内的温度系数为8.11ppm/℃—56.08ppm/℃,电源电压处于1.9V—5V这个电压范围时,基准源的各项性能参数均达到预期要求。最后完成了带隙基准源版图绘制,并进行了DRC、LVS检测,版图面积为7557μm2。
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