【摘 要】
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本论文以波长532nm、632.8nm激光为光源,采用非同时读出条件下的两波耦合实验装置,利用实时数据采集系统,记录了Ce:KNSBN晶体中光扇效应随写入光参量的变化情况,研究了泵浦光
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本论文以波长532nm、632.8nm激光为光源,采用非同时读出条件下的两波耦合实验装置,利用实时数据采集系统,记录了Ce:KNSBN晶体中光扇效应随写入光参量的变化情况,研究了泵浦光调制下的晶体两波耦合及图像存储。论文给出了单束泵浦光(532nm)入射Ce:KNSBN晶体时,光扇效应随写入光偏振态、写入光强度、写入光夹角的变化情况,得到异常偏振光(e光)入射晶体的条件下其光扇效应明显,且存在写入光强度阈值特性,当写入光夹角小于28°时,写入光强度大于51.0mW/cm~2时光扇效应才明显,在写入光夹角为28°～36°时,写入光强度阈值为38.2mW/cm~2;在相同的写入光强度下,在写入光夹角为30°获得最大稳态光扇强度。在非同时读出两波耦合实验装置中对泵浦光进行调制,在信号光滞后泵浦光打开条件下,研究了泵浦光调制频率及增益改善随写入光夹角、写入光光强比及写入光总光强的变化规律,发现泵浦光调制对光扇噪声有抑制作用,获得了有利于抑制光扇噪声的写入光参量及调制频率:当入射光波长为532nm时,写入光夹角为30°,对应的调制频率为175Hz;入射光波长为632.8nm时,写入光夹角为31°,对应的调制频率为100Hz。在泵浦光调制和未调制下进行了Ce:KNSBN晶体体全息存储实验,对比实验结果,结果表明泵浦光调制抑制了光扇噪声,提高了再现图像信噪比。
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