目前,中国铝生产行业一般采用的是三层液化学电解精炼法、区域熔炼物理提纯法、定向凝固物理提纯法,但是三层法存在着耗电量大、机械化水平低等缺点;区域熔炼物理提纯法和定向凝固提纯工艺因产量低、成本高、难以形成规模。而对于半导体硅生产行业而言,其生产方法则为西门子法和定向凝固法等,从环境角度、生产成本、生产规模考虑,两种生产方法也已经不能满足市场需求。因此,一种经济、高效率、无工业污染、能够工业规模化生产的方法迫在需求。本试验利用自制的旋转偏析装置对铝进行大量试验,研究旋转偏析法提纯原理、摸索出单次提纯工艺流程、确定铝晶体生长方式、得出该套装置的提纯效果、给出相对本套装置铝中硅、铁等杂质相应的有效分凝系数,并通过对试验遇到的问题和净化物测试结果分析,对仪器结构进一步完善提出合理意见,同时根据铝的生产要求特性,也大胆猜测对于铝、硅连续生产工艺的可能性,并猜想一种可连续生产的工艺方法。结论表明:自制的旋转偏析仪在一定程度上可以降低共晶杂质的有效分凝系数并且随着转速的提高,提纯效果越明显。净化铝晶体其生长过程是同时的沿半径方向由内向外生长的,沿半径方向整个过程等同于定向凝固过程,共晶杂质由内向外排放,而对于包晶杂质而言,该套装置不能对其进行剔除。通过对有效分凝系数和固体中提纯物杂质含量的计算,发现其结果与实际差距不是很大,在工业生产上以计算机辅助计算为基础可以对产品质量实现快速评估。同时根据单次提纯的实验效果,认为多次提纯工艺是可行的。