目前太阳能电池有80%为晶体硅材料,而最新的晶硅太阳能电池能量转换效率可以达到26.33%。晶体硅工艺技术是得到高品质、高效率的晶硅太阳能电池的关键。前栅电极铜电镀技术中用铜取代银作电极可以有效降低阴影损耗与接触电阻,并且降低成本,其中铜的扩散阻挡层的制备是铜电极技术的关键步骤之一。光诱导电镀制备铜的扩散阻挡层,利用电池片本身的光生伏特效应与电镀结合形成前栅电极。本课题组前期发展的无需激光开槽和光刻的栅线技术,利用掩模板让光直接在电池片上形成栅线形状,再利用光诱导电镀形成栅线电极。因此光源在光诱导电镀扩散阻挡层的制备中变得至关重要。前期的研究中发现光诱导电镀Co能在硅片上形成均匀的镀层,且退火以后能够与硅形成欧姆接触,因此选择Co作为扩散阻挡层。在光诱导电镀中,光源的强度与波长范围会对太阳能电池的能量转换效率造成影响。在光诱导电镀金属过程中,溶液与半导体的界面势垒会直接关联到晶硅太阳能的光电效应,因此光源的强度大小与波长对光诱导电镀的沉积速率会产生直接的影响。本文主要研究的是光源强度、波长以及溶液浓度对光诱导电镀的影响。采用光诱导电镀技术制备金属Co栅线扩散阻挡层,用电化学工作站测试电压并计算出光诱导电镀中的光电流密度。光照强度在5～80 mW/cm2时,随着光照强度的增强光电流密度增大;溶液浓度在0.05～0.25 M时,光电流密度随着溶液浓度的增加而增大,溶液浓度在0.25-0.5 M时,光电流密度随着溶液浓度的增加而减小;光诱导电镀Co可以选择波长范围为580 nm～690 nm的红色光和白光。掩模板的设计直接关联到前栅电极的形状,因此其设计也非常重要。利用优化以后的掩模板光诱导电镀Co栅线表征其形貌(SEM),在基底上形成了均匀致密的Co镀层,细栅线宽度约为100 um,主栅线宽度约为1mm。本论文对光诱导电镀的影响因素的研究以及掩模板的设计在无激光开槽的光诱导电镀技术中做出了较有意义的探索研究。