Fano效应起源于量子干涉的共振和非共振过程，已经在广泛的物理领域中被观察到，例如：中子散射、原子光化电离、拉曼散射、量子阱的光吸收谱、扫描隧道显微镜以及微波散射等，它的标志性特征是在谱线中出现不对称的线型。Fano效应在介观结构量子点的电子输运中也是一种很普遍的现象。正如我们所知，多个量子点耦合的结构可为电子的相干输运提供更多输运通道，如果适当选取体系的结构参数，则一个或几个通道将会为电子隧穿提供共振通道，其它的则扮演非共振隧穿通道。在耦合量子点的结构中，电子通过这些不同的通道时产生量子干涉，则不可避免地引发Fano效应。在实验上，Fano效应最先是在研究量子点中电子输运的Kondo共振范围内被发现的。最近，研究者将库仑阻塞的量子点嵌入Aharonov-Bohm环干涉仪中，获得了多种线型的Fano效应电导谱。研究者通过对电导谱的测量研究了各种不同的几何结构模型中的电子输运性质，例如：研究量子线侧耦合一个量子点结构、一个量子点耦合一个电极、量子环侧耦合一个量子点以及平行耦合量子点结构，这些结构提供了更多观察研究Fano效应的介观体系。本文将从理论上研究平行耦合双量子点结构中的Fano效应，模型选取一个量子点在Kondo共振区域内，另一个量子点引入局域的Rashba相互作用。我们研究了结构中的电子在几种物理效应下的量子相干输运性质。我们特别关注了体系中Kondo共振影响下的Fano效应。研究结果表明，Fano干涉引起了Kondo共振的淬灭，并且当体系中引入适当的局域磁通时，Kondo共振的淬灭依赖于电子的自旋态。分析表明：Kondo量子点和电极间的耦合为电子的输运提供了一个非共振通道，另一个Rashba量子点与电极间的耦合则为电子的输运提供了一个共振通道。我们通过调节Rashba电场的大小来调节Fano效应，Fano干涉抑制了Kondo共振，同时通过调节局域磁通使电子输运依赖于自旋。