硅基半导体电路受到高能瞬态射线辐射时,会迅速产生大量非平衡电子空穴对,从而生成光电流。电路中的光电流导致存储数据翻转、信号漂移,甚至使电路烧毁,应用于辐射环境中的电路需要进行抗辐射加固,为了进行大规模电路的瞬时辐射仿真,研究器件的紧凑模型是必要的。针对SOI MOS晶体管,现有剂量率辐射紧凑模型存在以下问题：现有模型对于不同制造工艺可移植性不强,从而在其它工艺下不能准确计算峰值光电流；现有模型对于不同结构器件可移植性不强,比如不能准确计算复杂栅结构器件峰值光电流；现有模型仅包含MOS器件各端无偏置电压的情况,不能将模型用于器件处于偏置电压下的电路中进行仿真。本文针对以上SOI MOS晶体管剂量率模型存在的问题进一步研究。通过计算分析解析解中参数与峰值光电流的关系,提出一种精度较高且计算量很小的PN结剂量率辐射模型,该模型在不同PN结参数条件下,峰值光电流计算结果与TCAD仿真值误差不超过5%。根据PN结模型,借助TCAD仿真分析掺杂、MOS器件各尺寸等因素与各端峰值光电流的关系,通过子电路方式建立了SOI MOS晶体管无偏置电压下的剂量率辐射模型,在不同制造工艺与器件结构下,通过调整模型参数与添加表达式修正项,提高了模型可移植性。在无偏置电压SOI MOS器件模型的基础上,通过分析偏置电压对各端峰值光电流的影响,提出了一种基于光电流分配函数的SOI MOS晶体管处于偏置电压下剂量率辐射模型的修正方法,为进一步满足电路仿真要求建立有偏置电压模型奠定了基础。将SOI MOS器件芯片置于强辐射源下进行辐射,设计测试电路测试光电流,并与模型计算值对比,结果显示二者吻合良好,从而表明模型可靠,可进一步用于电路加固设计或指导抗辐射加固时选取适当的工艺、器件参数。