有机无机复合光子上转换器件是指将无机探测单元与有机显示单元异质集成起来实现红外光到可见光的转换的光电器件，因其工艺简单、价格低廉、波长易调节等诸多优点可被广泛应用于军用与民用各个领域，也一直受到国内外学者的关注。然而，虽然经过国内外学者的持续研究器件的结构不断丰富性能不断提高，但仍距离实际应用相差甚远，且有机无机界面层的载流子传输机理还不清楚。针对有机无机光子复合上转换器件的应用前景以及所面临的实际问题，利用OMBD以及MBE设备成功制备了有机无机复合光子上转换器件实现了980nm的红外光到530nm的绿光的上转换，然后利用自行搭建的变温测试系统先后对OLED显示单元及有机无机光子复合上转换器件进行了变温瞬态以及变温I-V-L特性的研究。　　首先，为了完成对上转换器件瞬态变温特性的测试，根据测试需要自行搭建了一套测试系统。测试系统的温度控制是通过液氮制冷与热偶加热的冷热平衡实现，测试误差在士1K。系统可以使用机械泵抽真空优化测试环境。本系统样品架具有完整的入射光和出射光光路，所以不但可以进行瞬态电致发光测试以及I-V-L测试，还可以进行光谱测试。　　其次，利用测试系统对具有不同器件结构及发光材料的上转换器件显示单元OLED进行了变温电流-电压-亮度(I-V-L)特性以及瞬态电致发光特性的研究。通过对各个温度下具有不同材料与器件结构下OLED启亮电压以及瞬态发光延迟、衰减特性的对比分析，发现启亮电压随温度增加而减小的加速度在200K时出现拐点且这一数值主要由电子传输层Alq3的迁移率决定。当温度为200K时，延迟时间td最重要的影响因素是MoO3空穴注入势垒，随着温度升高Δtd逐渐减小，到300K时基本消失。Vf代表光衰减时间随温度增长的平均速率。MoO3注入层和电致发光材料Ir(ppy)3都会对载流子的堆积起促进作用。由MoO3注入层不同引起的ΔVf是0.52us/K，由电致发光材料Ir(ppy)3不同引起的ΔVf是0.73us/K。　　最后，对上转换器件的探测单元进行了表征分析，包括PL谱和光电性能。随后选择合适的探测单元成功制备了上转换器件，并对其进行了瞬态电致发光测试以及变温I-V-L测试。研究发现启亮电压随温度的升高逐渐减小，进一步对启亮电压进行了一阶微分，发现在无红外辐照时拐点在200K，有红外辐照时器件的拐点迁移到180K，认为这主要是空穴在有机无机界面层堆积引起的空间电荷效应所导致。增加电压、升高温度、外加红外辐照都会使延迟时间变小衰减时间增大。红外辐照主要是影响载流子的产生，外加偏压影响载流子的分离注入，温度即会影响载流子的产生也会影响载流子的传输。和OLED器件相比，上转换器件的延迟时间要高几十倍，衰减时间的增加速率要小于OLED的磷光器件，这主要是因为有机无机界面层对载流子迁移的阻碍所造成。