目前半导体材料研究领域的热点之一是宽禁带半导体材料。SnO₂薄膜是一种宽禁带隙半导体材料,它具有对可见光透光性好、紫外吸收系数大、电阻率低、化学性能稳定以及优良的光电性能等优点,己被广泛的应用在太阳能电池、液晶显示器,光探测器,窗口涂层等领域,是一种用途十分广泛的功能薄膜。本论文以无机金属盐SnCl₂·2H₂O和SbCl₃、Nb₂O₅为原料,首次采用喷雾热解法在玻璃管上制备了掺铌的SnO₂薄膜,同时制备了掺Sb的SnO₂薄膜。采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对掺杂后的薄膜的结构和表面形貌进行了表征;利用721可见分光光度计测量薄膜在可见光范围内的平均透过率;并采用万用表对薄膜的导电性能进行了测试。分别研究了掺杂Sb和Nb浓度大小对SnO₂薄膜结构和光电性能的影响,并对两种薄膜进行了电热方面的测试。研究表明:掺杂Sb和Nb二氧化锡薄膜的晶相结构仍然为四方金红石结构,掺杂并未造成薄膜晶相结构的改变;掺杂能显著提高薄膜的导电性能。掺杂浓度对薄膜的导电性能有很大影响,在被测试管的尺寸相同条件下,Sb和Sn原子比为0.04时的SnO₂薄膜导电性能最好,电阻降低到28Ω;而掺Nb的SnO₂薄膜导电性能也有很大的提高,Nb和Sn原子比为0.02时薄膜的导电性能最好,电阻最小为25Ω;Sb掺杂的SnO₂薄膜在可见光区透光率最高不超过75%,在热处理温度相同时,随着掺杂浓度的提高,薄膜的平均可见光透光率降低很快;而Nb掺杂的SnO₂薄膜具有更好的透光性,Nb掺杂的SnO₂薄膜可见光区透过率最大值达到80%,随掺杂浓度的提高,薄膜可见光透光率缓慢下降;对掺杂Sb和Nb的SnO₂薄膜薄膜进行了通电加热实验,结果表明,掺锑和掺铌镀膜玻璃管在20-60V不同电压下通电时温度上升很快,能稳定的工作,基本达到了实际应用的要求。