【摘 要】
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硅纳米线由于其特有的半导体、机械性能、光电特性，日益成为人们研究的重点。目前在场效应晶体管、生物及化学传感器、集成逻辑电路、太阳能电池等多个领域有着广泛的应用。虽然目前制备硅纳米线的方法有许多种，如气液固生长法、氧化辅助生长法、固液固生长法，但是大部分往往是无规则的生长法，因此如何制备高密度、图形规则的硅点阵纳米结构有着积极的意义。本文以玻璃模板的点阵图案为基础，对纳米压印这一图形复制技术进行了理
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硅纳米线由于其特有的半导体、机械性能、光电特性，日益成为人们研究的重点。目前在场效应晶体管、生物及化学传感器、集成逻辑电路、太阳能电池等多个领域有着广泛的应用。虽然目前制备硅纳米线的方法有许多种，如气液固生长法、氧化辅助生长法、固液固生长法，但是大部分往往是无规则的生长法，因此如何制备高密度、图形规则的硅点阵纳米结构有着积极的意义。本文以玻璃模板的点阵图案为基础，对纳米压印这一图形复制技术进行了理论研究和相关工艺参数的优化，通过低压压印将图案转移到硅片上的PMMA层，实验和有限元模拟结果表明
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