论文的主要工作是研究和分析了一种工作在穿通状态下的区熔硅光晶体管。在这种状态下，晶体管具有很高的线性度和灵敏度。在高纯区熔硅衬底上做出了这种光晶体管，并且通过ISE-TCAD软件包中的工艺模拟软件DIOS将离子注入工艺的参数和具体的退火条件进行了优化，从而得到了特性比较理想的光晶体管。随后对做出的器件进行了光响应测试，针对0.8μm入射光，本文主要关注光晶体管的灵敏度跟入射光功率和器件工作偏压的关系。得到的结果与理论预测基本吻合，当器件工作在穿通状态时线性度达到最高；在入射光功率从0.15nW至1500nW的40dB动态范围内，输出结果的拟合优度为0.9954。在穿通状态下，光晶体管的灵敏度能够达到40-70A/W的范围，大约相当于器件有75-130的内部增益。在器件对偏压和温度的稳定性方面光晶体管也展现了很大的优势，相对于1％的灵敏度变化，要求偏压稳定在2.5％的变化范围以内(工作偏压为40V时，其上下浮动不超过1V)，对温度的变化要求不超过±2℃。