在后摩尔时代,系统级封装在智能手机、便携电子等诸多领域得到了广泛的应用.所谓“一代材料、一代器件、一代系统”,近年来系统集......

报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的光晶体管的实验结果.在穿通电压附近(40V),0.83μm波长的光入射及0.1......

现有光晶体管具有噪声较低、增益较高（光信号强度适中时）等优点；但它同时也存在线性较差、光信号较弱时增益较低等缺点，限制了它的实际......

在氩气气氛及真空环境下生长的高阻区熔硅单晶的径向少子寿命分布情况进行了检测。检测结果表明,在氩气气氛下生长的各种规格的高......

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叙述了我国半导体硅材料的发展现状及与国外相比存在的差距 ,提出了发展我国硅材料的一些建议......

中子辐照区熔 (氢 )硅片经退火后在近表面形成洁净区 ,在硅片内部形成体内微缺陷 .微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢......