【摘 要】
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本课题主要研究的是忆阻器新模型的建立和应用。忆阻器是美籍华裔科学家和研究者蔡少棠于1971年首先提出的,蔡少棠教授对忆阻器的定义是:一种由电荷量和磁通量共同决定的二端非线性的电路元件。但由于当时半导体技术发展不成熟,蔡少棠教授对忆阻器的提出并没有引起人们的广泛关注,直到2008年开始,忆阻器的研究才有了飞速发展,惠普公司的实验室在这一年用纳米材料制造出了世界首个物理忆阻器件。忆阻器具有非线性的特征
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本课题主要研究的是忆阻器新模型的建立和应用。忆阻器是美籍华裔科学家和研究者蔡少棠于1971年首先提出的,蔡少棠教授对忆阻器的定义是:一种由电荷量和磁通量共同决定的二端非线性的电路元件。但由于当时半导体技术发展不成熟,蔡少棠教授对忆阻器的提出并没有引起人们的广泛关注,直到2008年开始,忆阻器的研究才有了飞速发展,惠普公司的实验室在这一年用纳米材料制造出了世界首个物理忆阻器件。忆阻器具有非线性的特征,可以使一些忆阻电路产生混沌行为。忆阻混沌电路与普通混沌电路一样对电路参数极其敏感,同时对初始值也极度依
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