SIPOS钝化的平面功率晶体管采用半绝缘掺氧多晶硅和二氧化硅的多层表面钝化技术。其中半绝缘掺氧多晶硅（Semi-Insulating Polycrystalline-Silicon,SIPOS）作为一种新的钝化技术,制备在器件衬底表面能有效的屏蔽外部电场,改善了厚SiO₂直接作钝化层时对Na⁺等碱金属离子掩蔽能力差、SiO₂与硅衬底界面处存在界面效应和雪崩热载流子容易在SiO₂层中贮存等缺点。因此使用SIPOS薄膜作功率晶体管的钝化层,稳定器件电学性能,可以使功率器件获得更高的耐压。在实际生产中,某些批次的SIPOS钝化平面功率晶体管在“中测”过程中,发现反向击穿电压曲线为“双线击穿”的异常现象。并且出现这种异常击穿曲线现象的管芯占整个晶圆的90%以上,这种异常击穿的“早期失效”严重影响了该系列功率晶体管的良品率。本文针对SIPOS钝化功率晶体管出现的“双线击穿”曲线现象,分析了SIPOS钝化平面功率晶体管的结构和制备工艺,以及SIPOS层性质与钝化机理;根据SIPOS钝化功率晶体管的纵向结构,对出现“双线击穿”曲线现象的管芯进行逐层腐蚀和反向击穿电压的测试,发现腐蚀掉SIPOS层后的管芯,“双线击穿”曲线现象基本消除;通过对SIPOS层进行元素能谱分析,结果显示出现“双线击穿”曲线现象管芯的SIPOS层氧含量为45%左右,超过标准约10%;最后还分析了QT-2型晶体管特性测试仪本身特性与出现“双线击穿”曲线现象的关系。结果表明,严重超标的氧含量使SIPOS层呈现SiO₂性质,在SIPOS与Si衬底界面会出现界面效应,分析认为这是造成器件出现“双线击穿”曲线现象的主要原因;同时当界面陷阱饱和时间常数τ_s小于界面陷阱的泄空时间常数τ_r,且都小于QT-2型图示仪的扫描时间常数τ_c的条件成立时,就会在QT-2型晶体管特性测试仪中观测到稳定的“双线击穿”异常击穿曲线现象。