在过去的几十年，全世界无线通信技术飞速发展。作为无线通信技术的重要支撑之一，微波介质陶瓷材料因其具备高Q值，中介电常数，温度系数稳定等优点而成为国内外学者争相研究的热点。本论文借鉴国内外高Q中介微波介质陶瓷的研究成果，确定以CaTiO3-LaGaO3系微波介质陶瓷作为主要研究对象。重点研究了CaTiO3-LaGaO3材料体系的制备工艺(如预烧温度、烧结温度、降温速率等)与其晶体结构、微观形貌以及微波介电性能的相互影响。此外，本文通过掺入烧结助剂0.97Bi2O3-0.03Al2O3和0.76Bi2O3-0.24NiO来试图降低CaTiO3-LaGaO3材料体系烧结温度。但实验的结果表明：对于CaTiO3-LaGaO3材料体系而言，即使掺入少量烧结助剂，样品的Q×f也值出现了非常明显的下降。此外，本论文通过B位离子取代来提高B位离子有序度，从而提高CaTiO3-LaGaO3陶瓷样品的Q×f值。Al2O3不仅比Ga2O3便宜，而且Al3+的结构和电子排布与Ga3+有很多相似之处，所以对于CaTiO3-LaGaO3体系存在B位取代的可能。本论文通过改变0.64CaTiO3–0.36La[Ga(1-δ)Alδ]O3材料中Al的比例，研究Al取代对0.64CaTiO3–0.36La[Ga(1-δ)Alδ]O3材料晶体结构、相组成以及微波介电性能的影响。结果发现，当Al的百分比为50%时，0.64CaTiO3–0.36La[Ga(1-δ)Alδ]O3由正交晶系向四方晶系进行转变，同时在相变区域附近出现了最优微波介电性能：εr=45.54, Q×f=43,897GHz (@4.53GHz), τf=-1.7ppm/°C。此外通过改变xCaTiO3–(1-x)La[Ga0.5Al0.5]O3材料体系中x的值，来观察x的变化对样品微波介电性能的影响。发现在(x=0.62,0.63,0.64,0.65,0.66)区间内，陶瓷样品均呈现了良好的微波介电性能：ρr≥96.8%, Q×f≥39,000GHz,44≤εr≤48,-8ppm/°C≤τf≤+6ppm/°C。