随着科技的日益进步,无线通信已经越来越广泛的出现在人们生活的方方面面,而移动通信作为其中的代表实现了人们在任何时间、地点都能快速传递想要的信息,已经全面的应用到军用以及民用领域,作为系统中的关键技术RFIC技术得到了广泛的应用。随着特征尺寸的不断减小,深亚微米CMOS工艺的特征频率可以达到120GHz的水平,硅基CMOS工艺的工作频率已经能做到几十GHz的频段,高Q值的片上电感的实现使得射频集成片上系统(SoC)成为可能。物联网是一种物物相连的网络,近年来得到了快速的发展,而接收机作为其中无线通信模块中的一部分也得到了广泛的研究。混频器是物联网SoC芯片中的核心电路模块,它的性能的好坏会影响整个系统的性能。本文对应用于物联网SoC芯片中的混频器电路进行了深入的研究,对混频的原理、性能指标以及电路结构进行了分析。并通过对有源混频器和无源混频器结构以及性能的比较分析,在此基础上提出了一种基于吉尔伯特型双平衡混频器的电路优化结构,采用交流耦合互补型结构对跨导的线性度进行了改善,提高了电路性能,并设计了基于带隙基准电流源的偏置电路结构。电路设计采用smic0.18um CMOS工艺,使用Cadence软件的Sectre RF仿真工具进行原理图的设计与仿真,在完成前仿的基础上使用Virtuoso Layout Editor工具绘制版图,通过DRC、LVS检查以及RCX参数提取,并完成后仿真。仿真结果表明,在电源电压为1.8V的情况下,转换增益15.55dB、噪声系数7.06dB,1dB压缩点9.83dB,各端口隔离程度均大于40dB,符合设计要求,实现了良好的混频性能。