自持金刚石厚膜上磁控溅射法沉积ZnO薄膜的研究

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【摘要】

：

ZnO是一种新型的直接带隙宽带半导体，室温禁带宽度约为3.37eV，具有较大的激子束缚能(60meV)，可以实现室温紫外激光发射。作为新一代的宽带半导体材料，以其优异的电学、光学、压电等性能，在发光二极管、光探测器、声表面波(SAW)器件等诸多领域有着广泛的应用。工作频率超过1GHz的SAW器件在今后高频无线电通讯中具有极其广泛的需求。但是工作频率超过2.5GHz的声表面波滤波器，对叉指换能器电极

【作者】

：

孙剑

【机构】

：

大连理工大学

【发表日期】

：

2008年12期

【关键词】

：

ZnO薄膜声表面波(SAW)器件磁控溅射

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