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过渡金属硅化物因具有高熔点、低电阻率、良好的化学惰性和热稳定性等性能被广泛应用于半导体等领域。然而现有的制备技术限制了过渡金属硅化物作为催化材料的研究和应用。本文采用金属有机硅化合物Co(SiCl3)(CO)4作为前体,以SiO2、SBA-15、CNTs和Al2O3为载体,采用金属有机化学气相沉积法成功制备了负载型过渡金属硅化钴。采用X射线衍射(XRD)、N2物理吸附、透射电镜(TEM)、程序升温还原(H2-TPR)和程序升温脱附(H2-TPD)等技术或方法对制备的催化剂进行表征,并考察了负载型硅化钴的萘催化加氢性能。进一步采用原位红外(in-situ FT-IR)光谱手段,研究了负载型硅化钴的形成机理。结果表明：1.以羰基钴和三氯氢硅为原料成功合成了金属有机前体Co(SiCl3)(CO)4。红外光谱、核磁共振谱以及元素分析数据证明了Co(SiCl3)(CO)4结构和组成；2.以Co(SiCl3)(CO)4为前体,SiO2为载体,在自制的流化床MOCVD装置内常压下制备高分散的CoSi/SiO2催化剂。结果显示,粒径约2-3 nm的CoSi粒子均匀分散在SiO2载体上。13.5% CoSi/SiO2催化剂较7.0%和17.1% CoSi/SiO2催化剂具有很高的加氢活性和较高的四氢萘选择性,可归因为CoSi粒子尺寸效应和CoSi粒子与载体SiO2相互作用的影响；3.以Co(SiCl3)(CO)4为前体,SBA-15为载体,采用MOCVD法制备高分散的CoSi/SBA-15催化剂。结果显示,CoSi粒子的粒径大约2-4 nm,均匀分散在载体SBA-15孔道内。8.3% CoSi/SBA-15催化剂,萘的转化率较低,但四氢萘的选择性很高均为100%。而16.1% CoSi/SBA-15作为催化剂有较高的催化活性达87%,而四氢萘的选择性较低只有35%；4.以CNTs为载体,观察不到任何粒子的形成,但EDX中有少量钴和硅元素存在；而以Al2O3为载体,得到的产物是CoCl2/Al2O3。5.在MOCVD过程中,在SiO2载体上,以H2为载气成功制备了高分散的CoSi/SiO2催化剂,而以Ar为载气,仅得到蓝色的CoCl2/SiO2。原位FT-IR结果表明,通过引入H2作为载气,改变了前体的分解途径,降低了分解温度,从而在较低温度下可制备出负载型CoSi催化剂。