【摘 要】
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半导体工业与微纳米测量技术息息相关,精确可靠的几何尺寸测量是集成电路制造业飞速发展的保障,同时半导体工艺推动着纳米尺度测量技术不断进步。片上几何尺寸及形状的偏差严重影响了集成电路芯片电气性能,关键尺寸(Critical dimension)作为其中重要的技术参数,其测量和控制是今后需要解决的技术难点。传统检测手段均不能对关键尺寸实现真三维形貌的表征,本文提出双探针原子力显微镜(AFM)对顶测量方案
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半导体工业与微纳米测量技术息息相关,精确可靠的几何尺寸测量是集成电路制造业飞速发展的保障,同时半导体工艺推动着纳米尺度测量技术不断进步。片上几何尺寸及形状的偏差严重影响了集成电路芯片电气性能,关键尺寸(Critical dimension)作为其中重要的技术参数,其测量和控制是今后需要解决的技术难点。传统检测手段均不能对关键尺寸实现真三维形貌的表征,本文提出双探针原子力显微镜(AFM)对顶测量方案,采用音叉探针作为力传感器,以单测头为基础,搭建了双探针测量系统,并通过实验验证了双探针对顶测量方案的可
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