【摘 要】
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压敏电阻器由于其优异的电学非线性和消耗余能量的能力,在电子元器件的保护、避雷器和输电线路过压保护等方面得到了广泛的应用.压敏电阻器压敏特性来源于晶界缺陷势垒对载流
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压敏电阻器由于其优异的电学非线性和消耗余能量的能力,在电子元器件的保护、避雷器和输电线路过压保护等方面得到了广泛的应用.压敏电阻器压敏特性来源于晶界缺陷势垒对载流子输运的影响,作者在此基础上通过对缺陷势垒的分析,阐释了搀杂和其它制备工艺以其压敏特性的影响.研究中发现,对于TiO<,2>系列压敏电阻,只需施主搀杂提高晶粒电导率即可实现晶粒的半导化,陶瓷已能呈现比产理想的压敏特性,搀加大离子半径的受主搀杂后,由于籽减小大尺寸的受主离子搀杂引起的晶格形变弹性能,受主离子易于在晶界处偏极,从而促进晶界势垒的形成,对TiO<,2>系列陶瓷压敏特性的产生起到了促进作用.
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