随着超大规模电路(ULSI)的快速发展,薄膜堆叠层数远超以往。复杂的薄膜结构及较大的薄膜厚度使得薄膜在芯片工艺中在硅片边缘较易产生分层。对于一个300 mm直径的硅片来说,处于边缘宽度为20mm的范围内包含有25%的芯片总数,因此,边缘缺陷将直接影响整个硅片的良品率。同时由于硅片边缘一旦发生分层,薄膜碎片缺陷不可避免的会在湿法工艺中迁移到硅片中央,继而影响硅片中央部位的芯片良品率。本论文使用等离子清洗设备对硅片边缘进行清洗刻蚀实验。实验研究了工艺隔离环直径(PEZ ring)、功率、极板硅片间距(Gap)、气体组分等参数对刻蚀速率曲线形状及各薄膜材料间的刻蚀速率选择比的影响。在硅片边缘等离子清洗工艺与芯片制造工艺流程的整合实验中,通过光学显微镜镜检和硅片边缘缺陷扫描确定缺陷在硅片边缘的分布并选择合适的工艺隔离环；通过截面SEM检测确定硅片边缘薄膜结构并选择合适的工艺气体组分,测量刻蚀速率并计算出工艺时间。在试验片刻蚀后在对其边缘进行光学检测和截面SEM检测,扫描边缘缺陷,完成工艺建立。工艺建立完成后,通过分批实验和批量试生产来验证加入等离子清洗后降低硅片缺陷数及提升良品率的效果。