本文利用射频等离子体增强化学气相沉积法制备了含硅类金刚石（Si-DLC）薄膜，选用C4H10和H2为源气体，聚二甲基硅氧烷作为掺杂源，载玻片、单晶硅片以及不锈钢片为基底。研究了不同工艺参数对Si-DLC薄膜的结构、表面形貌、nzha复合硬度以及疏水性能的影响。　　 通过Raman光谱和FTIR光谱表征了薄膜的键结构；SEM和光学显微镜研究了薄膜的表面形貌；使用HX-1000TM/LCD型显微硬度计测量了薄膜的复合硬度；通过接触角测定仪研究了薄膜的疏水性能。　　 利用拉曼光谱和红外吸收光谱分析了含硅类金刚石薄膜的结构，表明沉积的薄膜为非晶结构，而且完全符合DLC膜的典型特征。试验研究表明，随着功率密度的升高，D峰和G峰向高波数方向移动，同时两个拉曼峰的半宽峰也增大，薄膜中sp2键和sp3键含量降低；随着极板间距的增加，D峰和G峰向低频率方向移动，沉积薄膜中sp2和sp3含量增加，并且sp3键相对含量增加；随着氢气流量的增加，D峰和G峰的面积积分强度比变小，薄膜中sp3键含量增加；碳硅混合气体流量的增加则使ID/IG比值先减小后增大。Si的掺杂改善了薄膜的内应力，以及增加了sp3含量，同时降低了薄膜的复合硬度，含硅薄膜的最大复合硬度为928HV0．01，无掺杂Si的DLC薄膜的复合硬度为1190HV0．01。镀Si-DLC膜后的不锈钢基体表面表现出中度疏水，其最大接触角为84．7°，最小接触角为71．2°，均高于不锈钢表面的62．6°以及镀DLC膜的70．3°。