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RF-PECVD法制备工艺相关论文

RF-PECVD法制备掺硅类金刚石膜工艺及其性能的研究

本文利用射频等离子体增强化学气相沉积法制备了含硅类金刚石（Si-DLC）薄膜，选用C4H10和H2为源气体，聚二甲基硅氧烷作为掺杂源，载玻片、......

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