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随着时代的发展进步,在万物互联的智慧城市中各种半导体器件得到了很充分的利用,在各种半导体器件中,红外探测器件在夜视仪、火焰探测、环境污染监控和天气预测等领域都发挥着重要的作用。SnSe材料是一种非常重要的IV-VI族半导体材料,由于其特别的带隙结构(间接带隙0.9 e V,直接带隙1.3 e V)SnSe在光电转换和光探测领域有着潜在的应用,同时由于其含量十分丰富、化学稳定性好并且对环境也非常友好,具备实际生产应用的价值。但单一SnSe半导体材料中的光生电子空穴存在复合的现象,降低了SnSe材料的光电转化效率,贵金属修饰可有效抑制光生载流子的复合,提高器件的光电转化效率。本文通过牺牲模板法以Se纳米线为模板,抗坏血酸为还原剂,制备出纯度较高的SnSe纳米管。同时进一步通过光沉积法在SnSe纳米管表面沉积金属Ag颗粒制备出Ag/SnSe纳米管,并分别以此材料为基础组装成光电化学型红外探测器,并对此器件的红外光探测性能进行研究。具体研究内容如下:首先,本文采用水溶液法在室温条件下制备出Se纳米线,然后Se纳米线被用作直接模板,抗坏血酸为还原剂,制备出Se/SnSe复合纳米线,再将所制备的Se/SnSe纳米线在Ar气保护下退火,最终成功制备出SnSe纳米管结构。对所制备的SnSe纳米管分别利用SEM、TEM、EDS和XRD对样品的表面形貌、元素成分和晶型结构进行表征分析。此外也对SnSe纳米管的生长机理进行探究,结果表明Se纳米线不仅在反应过程中作为纳米管的形成模板,而且在SnSe形成过程中提供Se2-离子,此外抗坏血酸也在SnSe的形成过程中起着关键的作用。为了进一步抑制SnSe纳米管中光生载流子的复合,提高光电转化效率,在所制备的SnSe纳米管的基础上,室温下通过光还原法将纳米Ag颗粒沉积在SnSe纳米管表面,形成Ag/SnSe的纳米管结构,以达到抑制光生电子-空穴对复合的目的。利用SEM、EDS、TEM和XRD对制备的Ag/SnSe纳米管的形貌、成分和结构进行了表征分析。最后,将所制备的SnSe纳米管和Ag/SnSe纳米管作为红外探测器的光探测材料,以铂电极为对电极将他们组装成光电化学型红外探测器,以830nm的红外光作为模拟光源,探究SnSe纳米管探测器和Ag/SnSe纳米管探测器的光电探测性能。实验结果表明,SnSe探测器和Ag/SnSe探测器对830 nm的红外光具备良好的探测性能,能够在零伏偏压下工作,具有自供能特性。Ag/SnSe探测器对830 nm红外光的响应速度比SnSe探测器的更加快,电流密度更高。此外对SnSe探测器和Ag/SnSe探测器的光电探测机理也进行了研究。