目前LED芯片的切割主要以激光切割为主,这种技术能够克服蓝宝石衬底硬度高、难切割的问题。为了进一步提高LED芯片的切割质量,很多公司选择了使用激光隐形切割的技术对LED芯片进行切割,这种切割方式克服了激光划片产生的熔渣污染,而且工序简单。但是目前很多关于隐形切割的研究多是对比隐形切割与激光划片技术,很难找到隐形切割的内部机制,以及激光的参数是如何影响隐形切割的效果。本论文将从理论上分析隐形切割的内部机制,以及特殊激光参数对隐形切割的影响。采用1064nm的皮秒激光器对LED芯片进行切割处理。主要工作为:(1)分析了LED的市场以及发展前景,LED技术的发展方向;阐述了LED芯片切割技术的发展过程,以及本文的重点对象,激光隐形切割技术的过程、相关技术特点以及工艺研究的重点。(2)分析了LED芯片的材料特性,然后从理论出发阐述了激光与物质之间相互作用的理论基础,隐形切割时LED芯片材料内部的温度变化规律,并分析了激光隐形切割对LED芯片质量的影响,最后介绍了高斯光束的特点。(3)整个激光隐形切割实验设备以及理论介绍激光参数的影响因素,包括了激光器、光学系统、控制系统以及质量检测装置。在激光参数影响因素中,主要从理论上介绍了激光功率、焦点半径、脉冲宽度、重复频率等对隐形切割效果的影响。(4)针对前面所述的理论与问题,进行相关实验研究。在实验中,利用控制变量法,分别研究了隐形切割焦平面深度、切割速度以及功率密度对隐形切割质量的影响。由实验研究得出,在对100um厚的LED芯片进行隐形切割时功率为0.8W,扫描速度为600mm/s,焦平面深度为40um为最佳。