随着微电子封装技术的发展,厚膜混合集成电路使用范围逐渐扩大,采用厚膜工艺,可以制备出高集成度、高性能、高质量的陶瓷线路板,但是目前缺乏对厚膜电路中跨接多层布线用介质浆料、介质浆料用玻璃粉及介质浆料与导电层界面相容性的系统研究。所以本文在充分了解厚膜电路介质浆料及介质浆料用玻璃粉的制备方法及应用的基础上,分别研究了不同CaO-B₂O₃-SiO₂（CBS）成分的析晶性能、热学性能;并在CBS体系的基础上分别掺入其他金属氧化物（BaO、ZnO）,研究其对CBS析晶性能和热学性能的影响;最后将制备好的玻璃粉配制成介质浆料,研究其固含量对浆料流变性、介质层对耐压性能和界面相容性（界面润湿、元素扩散）的影响,从而制备出具有良绝缘、隔离等作用的介质浆料。研究结果表明:（1）在CBS体系中,40%CaO-30%B₂O₃-30%SiO₂（mol）微晶玻璃主晶相为CaB₂O₄,热膨胀系数与Al₂O₃陶瓷基板相差比较大;而40%CaO-20%B₂O₃-40%SiO₂（mol）微晶玻璃其主晶相为CaSiO₃（具有优异绝缘及良好介电性能）,同时具有与Al₂O₃相匹配的热膨胀系数。（2）在40%CaO-20%B₂O₃-40%SiO₂（mol）玻璃成分的基础上,引入一定含量的具有助熔效果的BaO。随着BaO含量的增大,微晶玻璃中的玻璃相含量逐渐增大,说明Ba²⁺的引入明显的降低微晶玻璃的析晶能力;当BaO的含量为5%时,玻璃软化温度（T_s）从902°C降到682°C,起到了显著的降低T_s的作用,同时具有与Al₂O₃陶瓷基板良好的润湿性能及相匹配的热膨胀系数。（3）在CBS体系中加入一定含量的ZnO,同样降低了玻璃析晶性能,同时抑制β-CaSiO₃相的生成,促进SiO₂的生成;当加入5%、10%含量的ZnO时,其T_s降低不是很明显,但是当ZnO含量达到15%时,其T_s从876°C降低到653°C,同时结晶相为CaSiO₃（25.15%）和SiO₂（16.85%）。（4）在CBS玻璃中分别加入5%BaO和15%ZnO时,所制备的介质浆料,经过丝网印刷及烧结工艺,当介质层厚度为30μm时其耐压值可以达到2000v,即制备的介质浆料具有良好的绝缘性能;另外通过界面EDS分析可以看出,相比BaO,加入ZnO可以有效的抑制Ag元素的扩散。