【摘 要】
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在该文中,我们对传统的半导体二极管电特性的检测方法—电容-电压(C-V)和电流-电压(I-V)方法进行了详尽的讨论,重点分析了它们的不足和局限性.我们分别采用并联和串联两种模
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在该文中,我们对传统的半导体二极管电特性的检测方法—电容-电压(C-V)和电流-电压(I-V)方法进行了详尽的讨论,重点分析了它们的不足和局限性.我们分别采用并联和串联两种模式细致地分析了各种条件下半导体二极管的正向交流特性,指出正向交流特性实部分量和虚部分量总是紧密相连的,因此必须同时测量,一并求解.我们对并联和串联两种分析模式进行了比较.指出了不同模式在不同条件下的优势和劣势.我们在并联模式和串联模式下,分别测量了半导体二极管在不同频率下的表观电导和表观电阻,通过观察其是否受到频率变化的影响来判断器件内是否有界面层存在.若表观电导或表观电阻随频率明显变化,则存在界面层,反之则不存在.我们在测量半导体二极管正向偏压下的电容-电压曲线时发现,在肖特基二极管和p-n结二极管都存在着显著的负电容现象,通常频率越低,负电容效果越强烈.综上所述,该文提出了测量半导体二极管电特性的新方法.
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