纳电子器件是最有望应用于未来电子产品的器件之一，因为其具有尺寸小、成本低和功耗低等优点。纳电子器件的尺寸(约为几纳米)小到足以突破摩尔定律极限。至今为止，很多材料都被用在纳电子器件的研究中，被广泛研究的材料包括C60、石墨烯和有机小分子等。而这些都是有机材料，本文的研究对象为III-V和IV-VI无机纳米团簇。本文采用第一性原理计算方法，即结合密度泛函理论(DFT)和非平衡格林函数(NEGF)方法，重点研究(GaAs)_n,(InAs)_n,(PbS)_n和(PbSe)_n(n=2-4)纳米簇器件的结构和输运性质。本文的研究发现了一些很有意义的性质，设计的12个纳米簇器件在低电压范围内显示出金属特性而当电压超过了某一高度(约2.0-2.6V)时电流随电压的增大而减小，这就出现了所谓的负微分电阻(NDR)特性。本文首先简要介绍了纳电子学和纳电子器件，接着我们给出了第一性原理计算的理论基础、格林函数方法以及输运性质的计算方法和流程。在本文的主体部分，设计了一些新型(GaAs)_n,(InAs)_n,(PbS)_n和(PbSe)_n(n=2-4)纳米簇器件并研究了它们的输运性质。文中还对纳米簇的原子数对输运性质的影响进行了对比研究，最后分析了所设计的纳电子器件的输运机理，以期对具有实际功能的纳电子器件的制备提供理论支持。本文最后对所有研究进行总结并给出了相应结论，同时也指出了本文所存在的不足和有待进一步研究的地方。本文的研究将会为无机纳电子器件的应用开辟新的篇章，并对以后具备实际功能的纳电子器件的制备提供理论支撑。