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a-Si:H薄膜已经广泛应用于太阳能电池,而且作为薄膜场效应管在电子摄像,大面积平板显示器等领域的应用也有很大进展.a-Si:H的沉积速率和品质很大程度上受到制备工艺的影响.为了在低温下高速制备优质a-Si:H薄膜,使其能够产业化,微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法在国际上受到人们广泛的重视.MWECR CVD产生的等离子体具有能量转化率高,气体分解率、激发态物种和基团浓度高等优点,制备工艺中存在多种参数制约着等离子体特性,并由此决定了a-Si:H薄膜的性能.薄膜沉积机制相当复杂,还没有成熟的理论描述.我们通过红外光谱,电导率测量等测试方法,结合对等离子体的分析,获得了如稀释比、沉积压强、沉积温度、磁场结构等工艺参数的优化值.为了提高薄膜性能在制备中的可重复性,并减小其光致衰退,在实验后期首次尝试采用HW辅助MWECR CVD制备a-Si:H薄膜,实验表明,由于热丝起到促进等离子体分解等作用,因而对提高薄膜性能有显著作用:找到最佳辅助热丝温度为1400℃,此时光敏性值为3x10<5>;沉积速率超过20A/s,光致衰退明显减小.同时我们对HW MWECRCVD系统中制备a-Si:H薄膜的均匀性进行了初步探讨.HW辅助MWECR CVD制备的a-Si:H薄膜均匀性误差可以从19％左右提高到10.9%.