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近年来,Ⅱ-Ⅵ半导体纳米材料制备和性质的研究引起了人们极大的兴趣。因量子限域效应,使它们具有优良可控的光学特性及光电子特性,被广泛应用于光电子器件和生物标注方面及光化学领域.其可控合成研究在水相和气相合成方法上进了很多尝试。制备出不同形貌和尺寸的纳米晶,如量子棒、线、火柴棒和多足结构等,有着各向异性光电效应如光偏振散射特性,量子激发特性等,使它们能够做为原始组装单元来构建高级复杂纳米器件及设备。然而在合成制备过程中,采用高温热解法合成半导体纳米晶过程中,不可避免的高温、无水无氧和有毒有机溶剂参与等极端条件使得实验步骤复杂且对环境造成污染,这使得金属或半导体纳米晶的合成成本加大和对环境不友好在我们的研究工作中,我们采用在良性条件下(低温,低压,中性PH)以生物有机质做矿化模板的生物矿化方法,制备了一维Ⅱ-Ⅵ半导体纳米材料。此方法很好的避免了传统有机合成中的高温、无水无氧和有毒有机溶剂参与等极端条件,且实验过程简单易控,对环境友好。本文的主要工作和取得的主要成果如下:1.利用牛血清蛋白在水溶液中制备了CdS一维纳米棒和纳米线,纳米棒和纳米线的形貌均一,单分散性好,我们在反应温度为20℃,利用BSA的二级结构α螺旋链做模板诱导合成CdS纳米棒,长度为250 nm,直径为30 nm;在反应温度50℃时,利用BSA的二级结构无规则线丝状体合成网状CdS纳米线,其长度约2～3 umCdS纳米棒和网状纳米线均为立方相闪锌矿结构.荧光性质的测试表明:位于550 nm处的主荧光峰与425 nm处的本征荧光峰相比,明显红移,荧光强度明显增强。这种优良的荧光性能能使其在量子荧光及生物学标记等领域具有新的应用前景CdS网状纳米线具有优良的Ⅰ-Ⅴ电导特性及敏感的紫外光响应。其在暗态下,金属探针和半导体之间形成肖特基势垒;在紫外光照射下,CdS纳米线有明显的响应,表现为准欧姆特征。Ⅰ-Ⅴ测试结果表明:这种材料对光有很强的敏感性,在光敏器件中可能有一定的应用价值对纳米棒和纳米线的生长机理做了较为具体的探讨和解释2.利用牛血清蛋白在水溶液中制备了ZnS纳米棒和纳米线及树枝状结构。纳米棒和纳米线的形貌均一。我们在反应温度为20℃,利用BSA的二级结构α螺旋链做模板诱导合成单分散性好的ZnS纳米棒,长度为250 nm,直径为30 nm;在反应温度为50℃时,利用BSA的二级结构无规则线丝状体合成网状ZnS纳米线,其长度约为几个微米。我们在反应温度为20℃、较低浓度BSA条件下,利用BSA分子结构中含有-OH、-NH、-SH等极性官能团做诱导吸附剂,制备了树枝状ZnS树枝晶,主枝及侧枝在微米级以上;ZnS纳米棒和网状纳米线均为立方相闪锌矿结构。荧光光谱结果表明:ZnS纳米棒和纳米线的主荧光峰的位置在420 nm,属于表面态发射ZnS纳米线的Ⅰ-Ⅴ电导特性,在暗态下,金属探针和纳米线之间形成肖特基势垒对ZnS纳米线和纳米棒及树枝晶的生长机理做了解释和探讨