【摘 要】
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半导体锗化物Mg_2Ge具有高热稳定性、低密度、优良的压缩性、丰富的可用性、无毒无污染等优点,且在热电领域和光电领域有很好的应用前景。本文首先从理论方面研究了本征Mg_2Ge和Al掺杂Mg_2Ge的电学和光学性质,然后从实验方面研究了不同衬底、不同Al掺杂浓度下的Mg_2Ge晶体结构和表面外貌。首先运用基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理赝势平面波方法,计算了本征Mg_2Ge的能带结构、态
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半导体锗化物Mg2Ge具有高热稳定性、低密度、优良的压缩性、丰富的可用性、无毒无污染等优点,且在热电领域和光电领域有很好的应用前景。本文首先从理论方面研究了本征Mg2Ge和Al掺杂Mg2Ge的电学和光学性质,然后从实验方面研究了不同衬底、不同Al掺杂浓度下的Mg2Ge晶体结构和表面外貌。首先运用基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理赝势平面波方法,计算了本征Mg2Ge的能带结构、态密度、弹性常数和光电性质。计算结果表明Mg2Ge是一种间接带隙半导体,禁带宽度为0.2136 e V;Mg2Ge的价带主要由Ge的4s和4p态电子构成,导带主要由Mg的3s,3p态电子以及Ge的4p态电子构成;静态介电常数?1(0)=25.294;折射率n0=4.5043;吸收系数最大峰值为396560.9 cm-1;弹性常数解释了Mg2Ge的脆性。然后计算了不同Al掺杂浓度下Mg2Ge的电子结构及光学性质。建立了四种Mg2-xAlxGe(x=0,0.125,0.25,0.5)的掺杂模型,计算结果表示Al掺杂后的Mg2Ge,费米能级进入导带,呈现出n型导电特性,掺杂后本征Mg2Ge费米能级附近的导带架构发生了改变,变为主要由Al的3p态电子、Ge的4s态电子和Mg的3s、3p态电子组成;静介电常数?1(0)和折射率n0均增大;吸收光谱发生红移,吸收系数最大值略微减小;光电导率峰值在x=0.125时取得极大值;能量损失函数随着Al的掺入发生蓝移且在x=0.125时蓝移现象最为明显。最后,运用磁控溅射仪和退火炉分别在Ge衬底、蓝宝石衬底和石英玻璃衬底上制备出不同Al掺杂浓度下的Mg2Ge薄膜。并通过XRD和SEM表征了薄膜的晶体结构和表面形貌。结果表示在三种衬底上均生长出了单一相的Mg2Ge薄膜,不同浓度Al掺杂虽然改变了Mg2Ge衍射峰强度但不影响Mg2Ge薄膜的晶体结构,Al以替位式掺杂存在,薄膜的表面粗糙度增加。
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