本文以氧化铝陶瓷为研究对象,添加氧化钙、二氧化硅、氧化镁和ZrO₂等来调节陶瓷的微波介电性能和耐压性能,同时研究了冷等静压工艺条件对陶瓷致密度和微波及直流耐压性能的调节作用。通过调节CaO-SiO₂-MgO中各氧化物含量的比例,研究其对氧化铝陶瓷微波和电性能的影响。研究发现,当SiO₂/CaO=1.8,MgO含量为CaO-SiO₂-MgO助烧剂20wt%时,在1550℃下烧结,微波性能和耐压性能较佳:Eb=48.24kV/mm（1mm）、20kV/mm（3mm）,相对密度达到95.62%,介电常数ε_r=9.23,品质因素Q×f=17580。添加ZrO₂能够减小陶瓷样品的晶粒尺寸,可以较为明显的提高样品的相对密度。掺入ZrO₂的样品在1500℃和1550℃能获得较高的耐压性能,同时能略微提高陶瓷的介电常数,但是微波性能较差。添加3wt%ZrO₂时,在1550℃的温度下能获得较高的相对密度,耐压和微波性能。Eb=42.52 kV/mm（1mm）、20 kV/mm（3mm）,相对密度达到98.57%,同时ε_r=10.22,Q×f=12023 GHz。当固定ZrO₂的掺杂量为3wt%,MgO的掺杂量为1wt%,发现在掺入0.5wt%CaO-SiO₂的情况下,陶瓷能获得较高的相对密度和耐压强度,同时显著增大了陶瓷的品质因素,Q×f提升至40977。在此基础上,对该配方采用冷等静压压制坯片,研究发现等静压压强和保压时间对样品性能影响很小,经过等静压工艺处理后烧得的样品性能反而略有下降。采用冷等静压工艺,排胶过程对烧得样品的最终性能有较大的影响。当空气排胶,升温速率为0.5℃/min,获得最佳耐压性能Eb=38.38kV/mm（1mm）、19.23 kV/mm（3mm）当采用氧气氛中排胶,升温速率影响不大,当升温速率为0.5℃/min,获得最佳耐压性能Eb=41.63 kV/mm（1mm）、20 kV/mm（3mm）