击穿场强相关论文
为获得低介电损耗、高耐压强度的Al2O3基LTCC（低温共烧陶瓷）材料，采用固相法制备了x（6La2O3·24Ca O·50B2O3·20SiO2）（LCBS）+（1–x）Al2O3玻......
聚丙烯热塑性材料相比于交联聚乙烯具有电学性能优异、无需交联脱气、可回收性好等优势,在高压直流电缆输电系统中具有广阔的应用......
陶瓷电容器因具有较大的功率密度被广泛用于各种脉冲功率设备,但是低的储能密度是其应用发展的短板。虽然对电容器施加极高的电场......
随着特高压输电工程的建设,换流变压器绝缘故障频发。高性能绝缘纸的匮乏已在一定程度上影响到设备安全和系统稳定。热压作为绝缘......
薄膜电容器是现代电力装置与电子设备的核心电子元件，受限于薄膜介质材料偏低的介电常数，当前薄膜电容器难以获得高储能密度（指有效储......
期刊
WO3作为一种具有重要研究价值和潜在应用能力的无机功能材料,在很多研究方面都得到了积极的尝试,例如光催化降解、电致变色、有毒......
储能电容器因其具有超高的功率密度,微秒级充放电速率和循环稳定性而被广泛应用于军事、电力及电子行业和民用领域。目前,聚合物基......
为了研究不同脱气时间对高压直流电缆绝缘特性的影响,该文采用超纯交联聚乙烯（XLPE）电缆料,利用平板热压法制备试样,通过70℃、常压......
为研究聚丙烯作为节能环保型新型电缆绝缘材料的可行性,并考虑到纳米颗粒对于介质性能的改善作用,本文将经过表面处理和未经表面处......
ZnO压敏陶瓷由于其优异的非线性特性而被广泛应用于电子线路、电力系统中的过电压保护之中。但是传统陶瓷制备过程烧结温度高、烧......
钛酸铋钠基陶瓷电介质具有高介电常数与良好的热稳定性,是最有希望应用于陶瓷储能电容器的电介质材料。钛酸铋钠基陶瓷的极化强度......
以2-(2\'-羟基-5\'-甲基苯基)苯并三唑(UV-P)和丙烯酰氯为原料合成2-(2\'-丙酰氧基-5\'-甲基苯基)苯并三唑(AMB),使其与低......
电介质储能电容器具有极快的充/放电速率,在脉冲放电、功率调节等电子设备中有着广泛的应用。其中,以薄膜材料作为电介质层的储能......
电缆中间接头在电力输送中起着衔接、过渡的作用,是保证电力系统安全可靠运行的重要组成部分。但是电缆中间接头对敷设水平要求较......
为获得具有低损耗、较好击穿及导热性能的高介电常数材料,采用超支化聚酯协同偶联剂改性BaTiO3,以环氧树脂EP为基体制成复合材料,......
本文通过固相法制备了0.8Y2/3Cu3Ti4O12-0.2CaCu3Ti4O12和0.4Bi2/3Cu3Ti4O12-0.6CaCu3Ti4O12复相陶瓷并且进行了电性能和介电性能......
中国高压交联聚乙烯绝缘(XLPE)电缆绝缘厚度明显高于目前国外绝缘厚度,导致中国高压电缆在技术水平和经济性能落后于国外水平.近30......
会议
场致发射显示器(FED)是新型平板显示技术的一种，对于后栅型结构的FED则需要一种绝缘性能良好的介质薄膜来隔离阴极和栅极，而氮化硅(S......
为了建立ZnO压敏陶瓷缺陷结构与电性能之间的关联,本文主要研究了不同添加剂和脉冲电流冲击老化对ZnO压敏陶瓷缺陷结构的影响.在室......
为了改善传统电工环氧树脂复合材料的综合电气、热学性能,通过对纳米A l2 O3表面接枝改性提高其在环氧树脂基体中的分散性和界面强......
六氟化硫(SF6)是一种优良的绝缘和灭弧介质，在电力系统和电气设备中得到广泛应用。1997年12月在日本通过的京都议定书中，SF6(温室效......
随着我国地铁、轻轨等城市交通运输系统的迅速发展，机车车辆电缆的需求量逐渐增大。为了降低轨道线路发生火灾的风险，加强机车车辆电......
空间电荷效应是导致电气设备绝缘老化和失效的重要因素,而介质热老化过程会对空间电荷特性产生显著影响,因此,深入而系统地研究电......
由于SF气体高的温室效应，迫切需要找到一种新的低温室效应SF绝缘气体替代物，用于现有的或经过改造的电力设备。1997年美国国家标准和......
纳米复合材料具有优异的介电、热学及力学性能,广泛用于微电子、高电压绝缘等领域,二维纳米填料具有长纵比大、表面能低,以及易于......
随着高能量密度技术及应用的发展，对高效存储和提供电能设备的需求愈发迫切。与其他电能存储器件(化学电池、燃料电池、超级电......
为研究不同运行年限的交联聚乙烯(XLPE)电缆绝缘的电气和理化特性,抽取12只北京地区经过3~12年运行的10 kV交联聚乙烯电力电缆,利......
引言电绝缘材料老化特性和绝缘寿命的测定对材料用户是极为重要的。已研究了预测绝缘寿命的几种普通方法,如时间与绝缘击穿的关系......
交联聚乙烯被广泛用于电工绝缘材料领域,研究其热老化过程中的电性能对于评估电缆等电气设备的使用寿命具有非常重要的实际意义。......
采用热丝法，甲醇、丙酮及氢气等离子体在硅衬底上沉积出金刚石薄膜，用透射电镜（ＴＥＭ）及拉曼（Ｒａｍａｎ）谱分析膜中含有大小不等的金刚石颗粒，膜的厚度为......
ＳｉＣ是一种具有宽禁带、高击穿场强、高饱和电子漂移速度和高热导率的半导体材料。ＳｉＣ微电子与光电子器件的潜在军事用途尤为引人注目，ＳｉＣ器件......
实验研究表明热生长１３ｎｍ薄ＳｉＯ２的可靠性同氧化前硅表面清洗处理方法有很大关系．氧化前稀ＨＦ酸及ＨＦ／乙醇漂洗不会提高热氧化薄ＳｉＯ２的可靠性；氧化前用ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ（０．０５∶２∶......
本文阐述了交流溅射技术的原理、特点及其应用。
This article describes the principle, characteristics and applications of ......
本文介绍了碱卤晶体电击穿场强与温度关系的研究。提及弗列里赫低温及高温晶体电击穿理论的概念。对许多国外作者的试验结果进行了......
为了改善SiC MOS电容氧化膜的质量和界面态密度,采用正交试验法考察了温度、压力、时间以及一氧化氮气流量等主要氮化工艺参数对4H......
SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延......
碳化硅材料以其优异的性能被行业列为第三代半导体材料,其击穿场强是硅的10倍,热导率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在......
氮化铝(AlN)晶体做为第三代半导体材料的典型代表，具有宽直接带隙(带宽6.2 eV)、高热导率、高击穿场强、高电子饱和速率、高抗......
换流变压器处在交流电与直流电相互变换的核心位置,良好的内绝缘是保证其安全可靠运行的前提条件。换流变压器在运行中将承受交直......
随着电子产品微型化、集成化的发展,巨介电材料得到广泛的关注。近几年来,大量有关TiO2基陶瓷的掺杂研究的报道,发现掺杂TiO2基陶......
学位
为探究如何制备具有低损耗、高击穿场强、高储能的介电储能材料,本文将一种橡胶粒子:甲基丙烯酸甲酯-丁二烯-苯乙烯(MBS)加入聚偏......
为提高脉冲功率技术中绝缘结构的绝缘性能,延长设备使用寿命,研究了重频纳秒脉冲电压作用下,多层绝缘薄膜层叠结构的绝缘特性,采用......
为改善多胶模压主绝缘的环氧桐马酸酐胶黏剂的导热性能,将两种粒径h-BN(六方氮化硼)粉体按照固定比例混合后,添加到胶黏剂中制作高......
