【摘 要】
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该论文主要对BiSrCaCuO(Bi2212)单晶进行了系统的断裂结和平面结的隧道谱研究.Bi2212单晶的掺杂范围为接近最佳掺杂到强过掺杂.摸索了隧道谱的实验方法和进行了样品的制备.用
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该论文主要对Bi<,2>Sr<,2>CaCu<,2>O<,8+δ>(Bi2212)单晶进行了系统的断裂结和平面结的隧道谱研究.Bi2212单晶的掺杂范围为接近最佳掺杂到强过掺杂.摸索了隧道谱的实验方法和进行了样品的制备.用断裂结方法在低温4.2K下得到的能隙值具有很好的重要性,能隙值与掺杂浓度呈线性关系;实现了从4.2K到200K的温度稳定的隧道谱测量.制备了高质量的Bi2212/Zn平面结,能够实现变温和强磁场下的隧道谱的测量.用助熔剂法生长了Bi2212单晶,并采用高压增氧的方法,获得了强过掺杂T<,c>为72K的样品.用平面结的方法研究了磁场对隧道谱的影响,发现垂直于ab面的磁场使得隧道谱上电导峰间距增加、零偏压电导增加,而平于ab面的磁场对隧道谱几乎没有任何影响,这是对高温超导体Bi2212各向异性的一种新的观测.提出并应用了以隧道谱排开的面积来定系统的有序程度.用隧道谱得到的系统的有序程度、零偏压电导与核磁共振、电子比热和中子散射的实验结果作了对比,发现它们具有非常相似的温度和磁场依赖关系,这反映了高温超导不同方面的物理性质的内在联系.用断裂结方法研究了MgB<,2>的约瑟夫森效应,得到I<,C>R<,N>=9.6mV.
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