本论文以铜线键合为研究对象,观察了键合界面微观界面特性,确定了键合界面化合物成分,分析了键合界面化合物形成机理,探索了铜线键合过程中键合温度、键合超声能量、芯片铝膜厚度对键合强度的影响,针对铜线键合在芯片悬臂键合过程中存在着大冲击、大回弹的动态特性和铜线键合点低强度的问题,提出了使用2.8μm厚度铝膜芯片代替1.0μm厚度铝膜芯片的方法。研究工作主要包括以下几个部分：1.通过Cu线键合界面的HRTEM测试结果分析,铜线键合温度升高到340℃才出现Cu-Al金属间化合物,同时X射线衍射分析结果显示Cu-Al界面生成了CuA12、Cu9A14。Cu-Al金属间化合物CuAl2、Cu9A14生成后,键合强度明显增强。2.试验研究了键合温度、超声能量、铝膜厚与键合强度的演变规律：随着键合温度升高到340℃,键合界面的韧窝区更明显,键合更充分,键合强度更高；超声电信号能量为5mJ左右时铜线键合强度最佳,而过低或者过高的超声电信号能量都会导致铜线键合强度降低；键合芯片覆盖2.8μm厚铝膜能有效的降低芯片的硬度值,保证铜线键合更充分,提升铜线键合质量。3.针对铜线悬臂键合工艺存在着大冲击、大回弹的动态特性和铜线键合点低强度的问题,提出了增厚铝膜的方法。比较了2.81μm铝膜厚度芯片与1.0μm铝膜厚度芯片的动态特性和键合强度,实验证明提高铝膜厚度改善了铜线悬臂键合的挠度冲击,从而增强了铜线悬臂键合强度。