IC辐射发射测试的TEM小室设计及数值分析

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IEC61967-2标准推荐了TEM(横电磁波)小室用于IC(集成电路)150kHz~1GHz辐射发射(RE)测试的过程与方法。随着IC系统向小型化、高密度、高速化方向的快速发展,IC的辐射发射测试变得越来越重要。RE测试频率不断提高,3GHz已成为目前通信产品RE测试的普遍要求。TEM小室用于IC辐射发射测试面临着许多挑战性问题。本文对TEM小室的性能参数、带宽扩展及结构设计等方面进行了研究,研究了特性阻抗、场分布、高次模截止频率及谐振频率的数值计算方法。采用边界元法分析了TEM小室的特性阻抗和准静态场分布。采用有限元软件对高次模、谐振频率、传输特性(如S参数和电压驻波比)进行了仿真分析。对TEM小室垂直极化分量影响较大的主要高次模是TE波(H波),H波与横向电流存在联系,在导体上开纵向缝隙可抑制横向电流,从而可抑制TE高次模的产生。论文仿真分析了TEM小室内、外导体开纵向缝隙对高次模和谐振的影响。此外,本文提出了一种新颖的微TEM小室,该TEM小室底部开口,可直接将IC置于其内测试,不需制作专用电路板,具有测试简单、测试频率高、便于携带、成本低等优点。论文最后对TEM小室的阻抗匹配、屏蔽、防腐防锈、结构设计等技术进行了研究。研究结果表明:通过导体开缝的方法可将TEM小室的上限频率提高到2GHz以上;新型微TEM小室的工作频率可达到3GHz以上;本文的内导体设计方案大大提高了TEM小室的阻抗匹配性能,有效提高了TEM小室的电压驻波比等传输特性。
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