光电导开关相关论文
研制高辐射能量、微型的太赫兹源一直以来都是太赫兹技术发展所面临的技术难题。现阶段产生太赫兹波的方式很多,使用半绝缘砷化镓......
GaN因具有宽禁带、高饱和电子速度和良好的热导率等优点而被视为制作高压高重频超快光电导开关（photoconductive semiconductor swi......
由于光电转换快、触发抖动小、抗电磁干扰、高重复频率工作和高功率容量等优势,近年来砷化镓光电导开关(GaAs photoconductive sem......
本文报道了一种用于表征超快电脉冲瞬态特性的超高速电光采样技术,利用电光晶体行波普克尔效应和高重复率飞秒脉冲染料激光系统,获......
一种新型的由电压充电传输线(VCTL)及本征硅光电导开关组成的极快电脉冲发生器巳研制成功。采用波长为1.06 μm、脉宽为80ps的激光......
报道用超快ＧａＡｓ光电导开关为基础的光电反馈网络对ＮＤ：ＹＬＦ单纵模调Ｑ脉冲激光器的腔内光强度成功进行了负反馈控制，输出的调Ｑ激光脉冲幅度稳定性得......
首次利用ＧａＡｓ光电导开关，控制Ｎｄ：ＹＬＦ激光器腔内Ｑ值，实现稳态锁模，获得脉宽和能量稳定性极高的４ｐｓ激光脉冲。......
光电导开关作为一种新型的开关器件，具有许多独特的优点。使之在超高速电子学、大功率脉冲产生与整形技术领域成为传统开关最有希望......
随着激光技术、微波技术和微电子技术的发展以及半导体工艺的不断改善,超高速光电子器件的工作速度、工作精度得到了空前的提高,在......
与传统开关相比,光电导开关具有响应速度快、时间抖动低、寄生电感电容小、结构简单,尤其是其耐高压、功率存储容量大等特性,使其......
利用半绝缘GaAs光电导开关的高速响应、低晃动,且耐高压的特点,结合高压脉冲电路,用腔倒空的办法产生窄脉宽且十分稳定的激光脉冲,......
随着微电子技术、纳米技术和半导体材料的发展,电子器件和光电器件的运行速度得到了前所未有的提高,然而,要评价这些器件的性能参......
武器的点火装置一般是一个大电流的电容放电型组件，该组件由高电压电源、高电压大容量电容、高电压快开关和电阻性雷管组成。为了实......
光电导开关具有优良的电学和光学特性,如耐压性能强、峰值输出功率高、响应时间短等优点,并且工作不受电磁干扰,从而在高功率超宽......
光电导开关具有响应速度快、触发抖动小、重复频率高和功率容量大等优点，在现代科学技术和国防建设的多个领域有重要应用。然而，单个......
砷化镓光电导开关快速导通特性是开关的重要特点之一。抖动是时间特性中很重要的一个参量。基于低抖动，可以使开关通过串并联形成阵......
GaAs光电导开关具有高重频、小抖动、无晃动、快速导通、结构简单特别是高耐压及大功率容量等优点使其在超高速电子学领域的应用前......
砷化镓光电导开关(GaAs Photoconductive Semiconductor Switch-GaAs PCSS)因具有结构简单、响应速度快、低晃动、高耐压、强通流......
脉冲功率技术是由于国防需要而发展起来的一门新兴科学技术，并在基础研究、环境保护、生物医学等领域的应用得到了极大的拓展。光电......
THz作为电磁波谱中至今仍然未被人们开发利用的波段，已经被众多的科学工作者所关注。其独特的性质能够给成像技术、生物医学、通讯......
与SiC相比,GaN具有更宽的带隙、更短的载流子寿命,更高的饱和电子漂移速度等特点,是目前发展高压、高频、高功率光电导开关器件的......
光电导开关因其高耐压、高功率、响应快及工作不受电磁干扰等优良特性，在功率器件与超快器件里备受关注，使其在高功率超宽带脉冲产生......
与传统开关相比，GaAs光电导开关具有开关速度快、时间抖动小、触发无晃动、寄生电感电容小、高重复频率、结构简单特别是耐高压及大......
科学技术在发展，脉冲功率技术在军事和民用领域正逐步得到应用，超快电脉冲的获取技术正在提高，目前主流技术多采用开关技术获取电脉冲......
半绝缘光电导开关具有无抖动、响应速度快、高功率、高重复频率等特性,在功率脉冲技术领域中具有广泛地应用前景。尤其是砷化镓等......
光电导开关具有极其优良的特性，在产生高功率超宽带脉冲领域和超快电子学等领域中都有着极为广阔的应用前景。GaAs光电导开关具有响......
与传统开关相比，GaAs光电导开关具有开关速度快、时间抖动小、寄生电感电容小、结构简单尤其是其耐高压，功率存储容量大等优势，使其在......
报道了用全固态绝缘结构研制的横向型半绝缘GaAs光电导开关产生高功率亚纳秒电脉冲的性能和测试结果.8mm电极间隙的开关暗态绝缘强......
对GaAs光电导开关的电极进行刻蚀处理,可极大地分散电极处的电场强度,有效避免局部电场的过于集中,从而增大开关的耐压和通流能力,......
报道了用光子能量低于GaAs禁带宽度的红外激光脉冲,触发电极间隙为3mm和8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果。使用单脉冲能量......
给出了采用全固态绝缘、微带线低电感输出的Ｓｌ－ＧａＡｓ超快光电导开关作为高功率亚ＧＨｚ电磁脉冲微波源的实验结果。总结了强电场下半导体光电导开......
报道了用半绝缘GaAs光电导开关产生电压幅值稳定、ps量级时间晃动超快电脉冲的实验结果 .分别用ns ,ps和fs激光脉冲触发GaAs光电导......
利用Ensemble-Monte Carlo模拟方法,对不同实验条件下半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关作为偶极辐射天线在辐射太赫兹电磁波(太赫兹......
利用二维ensemble-MonteCarlo方法模拟了直流偏置的半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关在飞秒激光脉冲触发下的两种工作模式.结果表明:......
利用数值方法对线性条件下横向光电导开关的感生电流和传导电流进行了计算和比较.结果表明在特定的实验条件下,感生电流才会对输出......
结合实验中观察到的光激发电荷畴现象,提出光激发电荷畴理论模型描述高倍增GaAs光电导开关的瞬态特性,讨论了高倍增GaAs光电导开关......
报道了具有全固态绝缘结构的横向型半绝缘GaAs光电导开关的研制和性能测试结果 .其中 8mm电极间隙的GaAs开关暗态绝缘强度达 2 8kV......
利用光电导体产生太赫兹电磁波(THz波),THz远场辐射波形与光电导体材料的载流子寿命、偏置电场以及触发光有直接关系.用不同方法对......
实验研究了光电导开关的非线性现象，结果表明用半导体激光脉冲串触发光电导开关，在保持激光触发GaAs光电导开关实验条件不变的情况下......
首次提出“发光畴”模型对强电场下ＧａＡｓ光电导开关高倍增工作模式的物理机制进行解释。其要点是：光注入载流子引起开关电场畸变，开关偏置......
本文基于气体放电理论和光激发电荷畴模型,用半导体流注模型解释了高功率GaAs存在的丝状电流现象,并讨论其形成的物理过程。同时指......
总结了强电场下半导体光电导开关呈现出的引发、维护及恢复过程的非线性特性，对丝状电流的特点及辐射复合在ｌｏｃｋ－ｏｎ效应中的作用进行了讨论......
本文采用时域有限差分法直接求解包含传导电流的三维麦克斯韦方程组,对超短脉冲光电导开关进行全波分析,分析中考虑了静电场影响,......
本文应用Ensemble-Monte Carlo方法模拟了半绝缘GaAs（SI-GaAs）光电导开关基于Anston等效电路亚皮秒传输特性。从载流子在开关体内的......
本文首次报导了采用全固态绝缘，微带线低电感输出的Ｓｉ－ＧａＡｓ高压超快光电导开关的研制结果，该器件的耐压强庶３５ｋＶ／ｃｍ，典型的电流脉冲上升时间为２００ｐｓ，电流达......
用全固态绝缘结构的横向型半绝缘GaAs光电导开关,在高重复频率飞秒激光脉冲触发下产生超快电脉冲串,经过微带同轴过渡连接至宽带微......
从GaAs开关的非线性工作模式各类性质出发，详细分析了高倍增模式下工作的电流丝现象。通过实验分析提出了形成丝状电流所需的两个条......
在实验研究的基础上，根据半导体光电子学理论，对横向型GaAs超快光电导开关的线性和非线性辐射特性作了研究．结果表明：在不同激励光能与......
