光子晶体是由不同介电常数的材料周期排列的人工微结构。光子带隙是光子晶体的重要特性之一,也是光子晶体应用研究的基础,因此,对光子晶体的禁带特性的研究就成为光子晶体研究的重要内容之一。本文采用平面波展开法(PWM)重点研究了二维环型光子晶体的完全带隙特性,为制作大带隙光子晶体以及光子晶体光学器件的设计提供有益的理论依据。论文的主要内容有：1.研究了GaAs、Ge两种材料的二维空气孔型光子晶体完全带隙与晶格结构、填充比、介电常数比三个主要影响因素之间的关系。根据计算结果,我们主要研究了由Ge组成的二维三角晶格内介质柱为非圆形的准空气环型(准环型)光子晶体的完全带隙特性,其内介质柱分别为长方形、正方形、六角形,作为比较需要,还研究了内介质柱为圆形的空气环型光子晶体的完全带隙特性。改变其内介质柱填充率、介电常数比、旋转角度,同时改变空气环外半径,以寻找最大完全带隙的结构参数,研究其完全带隙变化规律。2.研究了GaAs、Ge两种材料的二维介质柱型和介质环型光子晶体完全带隙与晶格结构、填充比、介电常数比三个主要影响因素之间的关系。根据计算结果,我们主要针对易出现完全带隙的介质环结构进行了重点计算。改变其填充率,同时改变介电常数比,以寻找最大完全带隙的结构参数,研究其完全带隙变化规律。