ZnSe薄膜的喇曼光谱和激子光谱

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【摘要】

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该文采用分子束外延(MBE)技术,在GaAs(100)衬底上生长了厚度从0.045μm到1.4μm的ZnSe薄膜.X射线衍射谱证实,随着薄膜厚度的增加,应变逐步驰豫.利用Raman散射分析ZnSe薄膜的

【作者】

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盛传祥

【机构】

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复旦大学

【出处】

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复旦大学

【发表日期】

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2000年期

【关键词】

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喇曼散射激子光致发光 ZnSe薄膜

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该文采用分子束外延(MBE)技术,在GaAs(100)衬底上生长了厚度从0.045μm到1.4μm的ZnSe薄膜.X射线衍射谱证实,随着薄膜厚度的增加,应变逐步驰豫.利用Raman散射分析ZnSe薄膜的应变变化和薄膜的关系.测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱,观察到轻重空穴的在不同应变下的分裂、移动和反转,以及激子极化激元(Polariton)对反射谱的影响,也观察到束缚激子发光随着薄膜厚度的变化规律.

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