ZnSe薄膜相关论文
随着半导体激光器应用领域的不断拓展,对器件输出功率和可靠性的要求也越来越高。而激光器腔面的工作稳定性是制约器件高功率输出......
用248 nm的KrF准分子脉冲激光烧蚀ZnSe靶材沉积ZnSe薄膜。靶采用多晶ZnSe片，衬底采用抛光GaAs(100)。衬底预处理采用化学刻蚀和高温......
为了研究衬底温度对硒化锌薄膜微观结构和光学特性的影响,采用电子束蒸发技术在K9玻璃基底上制备了单层的硒化锌薄膜。通过研究薄......
ZnSe作为重要的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体，在兰绿光发射器件、非线性光电器件、红外器件以及薄膜太阳能电池等方面有着广泛的应用。而ZnS......
ZnSe作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，具有禁带宽、直接带隙跃迁，激子束缚能大，光、电性能优良等优点，这使其成为蓝绿色发光、激光以......
学位
ZnSe是一种具有直接能隙(2.7eV)的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，由于在半导体器件的应用中具有相当大的潜能，如可以作为太阳能电池的窗口......
近年来太阳能电池取得了很大的发展,本文介绍了太阳能电池的发展历程,并简要介绍了几类太阳能电池的工作原理。ZnSe具有较大的禁带......
采用真空蒸发法在玻璃衬底上制备了稀土Dy、Nd掺杂的ZnSe薄膜，在氮气气氛中，T=350℃, t=20min下对薄膜进行热处理，并采用X射线衍射仪......
该文采用分子束外延(MBE)技术,在GaAs(100)衬底上生长了厚度从0.045μm到1.4μm的ZnSe薄膜.X射线衍射谱证实,随着薄膜厚度的增加,......
用248 nm的KrF准分子脉冲激光烧蚀ZnSe靶材沉积ZnSe薄膜。靶采用多晶ZnSe片，衬底采用抛光GaAs(100)。衬底预处理采用化学刻蚀和高温......
利用真空蒸发的方法制备ZnSe多晶薄膜,并采用双源法对薄膜进行了Dy的掺杂。用XRD、紫外可见分光光度仪对薄膜的性质进行了表征。结......
利用真空蒸发的方法制备ZnSe多晶薄膜，并采用双源法对薄膜进行了稀土元素Nd的掺杂。对薄膜进行了XRD测试，并计算了薄膜的晶粒尺寸、......
综述了国外电沉积制备ZnSe薄膜的研究进展，尤其是在酸性电解液溶液中电沉积制备ZnSe薄膜、电沉积掺杂制备P型和n型ZnSe薄膜，且阐述了......
在硫酸锌和亚硒酸钠的酸性柠檬酸钠电解液体系中进行ZnSe薄膜生长条件系列实验，为了进一步研究电化学沉积参数对薄膜成分和形貌的影......
基于密度泛函理论的第一性原理计算，通过对Si（001）和氮化Si（001）表面单层Zn／Se原子结合的方式，模拟ZnSe外延薄膜的二维生长模式，从单层原子......
宽带Ⅱ—Ⅵ族半导体材料如ZnS、ZnSe因其优异的光电特性成为蓝绿半导体发光和激光光电子器件的重要候选材料。如果利用外延技术，在......
从理论上分析了硫酸锌和亚硒酸钠在简单酸性溶液中进行电化学共沉积制备ZnSe薄膜的可行性；然后，在硫酸锌和亚硒酸钠的酸性柠檬酸钠电......
本文通过将新型化学气相反应促进剂Zn（NH4）3Cl5引入到热壁外延系统中,以二元素单质Zn和Se为原料,直接在Si（111）衬底上生长了高质量的Zn......
本文采用单源真空蒸发法制备了ZnSe薄膜,利用电子探针、X射线粉晶衍射等现代测试手段研究了蒸发温度（700-1050℃）、基片温度（0-200℃）......
本文用真空蒸发法制备了CIS太阳能电池中做缓冲材料的ZnSe薄膜，利用X射线光电子能谱（XPS）对制备薄膜的表面化学状态及沉积质量进行了......
采用电沉积方法制备了ZnSe薄膜，研究了电沉积工艺参数，包括镀液的主盐离子浓度、配合剂浓度、pH值及电流密度等对膜层的影响。通过正......
ZnSe属直接带隙Ⅱ-Ⅵ族的半导体晶体,具有红外波段透射率高、禁带宽度大等诸多优良的光学特性,在红外窗口材料、叠层多结太阳能电......
ZnSe是重要的、优良的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,它具有直接跃迁型能带结构,禁带为2.7eV,宽的透光范围(0.5～22μm),较高的发光效率,低的吸......
ZnSe晶体属直接带隙Ⅱ-Ⅳ族半导体,在蓝光半导体激光器件、非线性光热器件、红外器件以及薄膜太阳能电池等方面有着广泛的应用。使......
