纳米ATO导电粉的制备与应用研究

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ATO(掺锑二氧化锡)纳米导电粉体具有良好的导电性、浅色透明性,是一种优良的抗静电导电填料,有着广阔的市场应用前景。本实验以SnCl4.5H2O、SbCl3为原料,采用化学共沉淀法制备得到了纳米级ATO导电粉体,并运用X-射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)等测试方法对ATO导电粉体进行了表征,系统研究了制备工艺条件对纳米ATO粉体粒径及导电性能的影响,探讨了其影响机理,对晶格常数及Sb在SnO2晶格表的偏析进行了研究,并在此基础上得到了最佳工艺参数。本实验对自制的纳米导电粉体在环氧树脂中抗静电性能应用进行了初步的探讨。
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