现代集成电路(IC)设计中硅片面积的大部分是用于存储相关数据值和程序指令。随着半导体业的飞速发展,对存储器的需求突飞猛涨。而静态随机存储器(SRAM)以其无需刷新、使用方便以及速度较快等优势占据关键地位。进入纳米工艺技术水平后,对SRAM性能的要求日益严格,尤其是其稳定性、功耗和速度等方面。尤其是在40nm CMOS工艺节点以后,电路设计受工艺的影响因素增大,综合性的高性能成为发展趋势。本文设计的出发点是,设计一款高稳定性低功耗的高速芯片。确定需求后,在具体设计时,首先需要设计一款低功耗的SRAM芯片；其次,考虑电路设计复杂度的前提下,改进电路设计,优化SRAM芯片的读取时间,提升SRAM芯片的读取速度。实际采取的设计方案是,基于40nm低功耗CMOS工艺技术,综合考虑芯片的稳定性和速度,对存储单元阵列部分进行设计以及外围电路的合理设计,实现低功耗的需求。其次,在低功耗电路的基础上对该电路进行改进优化,减小SRAM芯片的读取时间,使得设计的SRAM芯片的速度能够在众多低功耗的芯片中有较大的竞争力。该部分主要采取的可行性方法是针对外围电路进行分析改进,优化SRAM芯片的读取速度。本文采用目前稳定的40nm低功耗CMOS工艺技术,通过设计电路最终实现高稳定性低功耗的高速静态存储器SRAM的设计。经过测试验证,采用40nm低功耗工艺技术,设计的静态存储器的功耗能够与当前低功耗水平持平,同时在速度方面,取得了较大的提升。该设计方案最终经过流片测试验证成功。