【摘 要】
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对于薄膜特别是柱状晶薄膜，当晶粒在膜平面内的尺寸大于膜厚时，柱状晶粒的上底面(即自由表面)和下底面(即膜-基界面)的面积将大于侧面(即晶界面)的面积，如果薄膜还附着在与其热胀系数不同的基体上并在不同于沉积温度的条件下退火时，膜中将存在较大的热应力。因此，薄膜中的晶粒生长除像传统的整体材料中的晶粒生长一样要考虑晶界能外，还应当同时考虑表面能、界面能和应变能。而表面能、界面能和应变能均与晶粒的取向密切
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对于薄膜特别是柱状晶薄膜，当晶粒在膜平面内的尺寸大于膜厚时，柱状晶粒的上底面(即自由表面)和下底面(即膜-基界面)的面积将大于侧面(即晶界面)的面积，如果薄膜还附着在与其热胀系数不同的基体上并在不同于沉积温度的条件下退火时，膜中将存在较大的热应力。因此，薄膜中的晶粒生长除像传统的整体材料中的晶粒生长一样要考虑晶界能外，还应当同时考虑表面能、界面能和应变能。而表面能、界面能和应变能均与晶粒的取向密切相关，即存在各向异性。更值得注意的是，表面能、界面能和应变能的各向异性对晶粒取向的依赖关系存在较大的差异
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