新型芴类共聚物光电材料的合成、表征及性能研究

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与无机材料相比,有机光电材料具有低成本、易制备、可大面积制备等优势,而且种类丰富,容易通过基团修饰的方法设计合成新型光电功能材料,近年来逐渐成为光电材料领域的研究热点。在众多的有机光电材料中,聚芴类的研究及应用受到广泛关注,通过对聚芴进行不同基团的修饰,可以合成一系列不同光电性能的衍生物。本文以聚芴作为主体材料,合成了一系列芴类共轭聚合物,探讨了不同材料的光电性能和结构的关系,取得了初步的研究成果。论文的研究内容共分为五章:第一章合成了含邻菲罗啉配体的镨配位的芴类共轭聚合物,对聚合物的结构进行了表征和确定,通过热重测试、紫外可见吸收光谱、荧光光谱、电化学方法分析了聚合物的光电性能,制备电致发光器件并探讨镨配合物对器件性能的影响,结果表明镨配合物的引入有效地调节了聚合物的电致发光光色。第二章采用与邻菲罗啉立体构象不同的联吡啶基团为配体,合成了镨配位芴类共轭聚合物,对聚合物的结构及基础光电性能进行了表征和分析,以此材料为发光层制备电致发光器件,探讨了联吡啶配体和镨金属的引入对聚合物的光电性能的影响关系,在调节电致发光光色的同时,有效地改善了器件的电致发光性能。第三章合成了含邻菲罗啉配体的镨配位的给体-受体型(D-A型)共轭聚合物,对聚合物的结构及基础光电性能进行表征和分析,制备的电存储器件表现出典型的一次写入多次读取(WORM)的非易失型电存储性能。讨论并分析了器件电存储性能和结构的关系,通过理论计算初步探讨了电存储的机制。第四章合成了含联吡啶配体的镨配位的D-A型共轭聚合物,对聚合物的结构及基础光电性能进行表征测试,对制备的电存储器件性能进行分析,材料表现出更优良的WORM型电存储行为。通过理论计算初步探讨了电存储的机制,同时着重讨论分析了邻苯二甲酰亚胺基团和镨配合物对器件电存储性能的影响。第五章研究了新型的含马来酰亚胺基团的D-A型共轭聚合物的电存储器件的性能,电存储器件表现出可擦写(FLASH)型的非易失性电存储行为。测试了光照前后器件电存储性能的变化,讨论分析了不同光照条件的影响,以及光照后聚合物的结构变化对聚合物电存储性能的影响。
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