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有机半导体材料由于其质量轻、价格低以及能与柔性衬底相兼容等优点,已被广泛的用于光电子领域。本文以Cu Pc为有机半导体材料,制备了具有垂直叠层结构的有机光电晶体管,其结构为金属Cu/有机半导体Cu Pc/Al半透膜/有机半导体Cu Pc/氧化铟锡ITO垂直结构。制备过程采用真空蒸镀、直流磁控溅射和射频溅射工艺,由多功能镀膜系统来完成。Cu Pc半导体材料具有良好的光敏特性,当光信号照射后会产生激子,在半导体材料与金属材料的肖特基接触内建电场作用下分离形成光电流,转化成有机光电三极管的驱动电流,利用其电流放大作用使输出电流倍增。测试结果表明,晶体管的I-V特性为明显的不饱和三极管特性,随着基极电压的增大,抑制了载流子在集电极与发射极之间的运动,导致集电极与发射极之间电流随之减小。当用625nm光照、700nm光照、全波段(白光)光照来照射器件,测得器件工作电流明显增加。其中白光照射时工作电流放大倍数最大,在Vec=3V时,明暗电流比范围为2.9-6.4倍。另外,器件在无光照射下其β值为16.5,在700nm光照下光生电流值为0.0344μA,在625nm光照下,光生电流IL为0.0714μA,是基极电流Ib的2.56倍,在白光照下光生电流IL为0.15μA,是基极电流的2.73倍;器件对波长为625nm光照、700nm光照以及全波段(白光)光照的敏感度分别为0.1632 A/W,0.2023 A/W,0.0206 A/W。器件在白光照下的集电极电流和光生电流相对于单色光照要大很多,但是由于白光照时亮度值很大,即白光入射功率要远大于单色光的光入射功率,因此白光敏感度相对较低。